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NAND04GW3B2BN6E PDF预览

NAND04GW3B2BN6E

更新时间： 2024-10-26 03:01:43
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
58页 1122K
描述
4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories

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NAND04GW3B2BN6E 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TSOP
包装说明：TSOP1, TSSOP48,.8,20针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.66
Is Samacsys：N最长访问时间：25000 ns
命令用户界面：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PDSO-G48长度：18.4 mm
内存密度：4294967296 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
部门数/规模：4K端子数量：48
字数：536870912 words字数代码：512000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512MX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP48,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE页面大小：2K words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：128K
最大待机电流：0.00005 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.03 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：NO
类型：NAND TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

NAND04GW3B2BN6E 数据手册

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NAND04GW3B2B  
NAND08GW3B2A  
4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page  
3V, NAND Flash Memories  
Features  
■ High density NAND Flash Memory  
– up to 8 Gbit memory array  
– Up to 256 Mbit spare area  
– Cost effective solution for mass storage  
applications  
■ NAND Interface  
– x8 bus width  
– Multiplexed Address/ Data  
TSOP48 12 x 20mm  
■ Supply voltage  
– 3.0V device: V = 2.7 to 3.6V  
DD  
■ Page size  
– (2048 + 64 spare) Bytes  
■ Block size  
■ Data protection  
– (128K + 4K spare) Bytes  
– Hardware and Software Block Locking  
– Hardware Program/Erase locked during  
Power transitions  
■ Page Read/Program  
– Random access: 25µs (max)  
– Sequential access: 30ns (min)  
– Page program time: 200µs (typ)  
■ Data integrity  
– 100,000 Program/Erase cycles (with ECC)  
■ Copy Back Program mode  
– 10 years Data Retention  
– Fast page copy without external buffering  
®
■ ECOPACK package  
■ Cache Program and Cache Read modes  
■ Development tools  
– Internal Cache Register to improve the  
program and read throughputs  
– Error Correction Code software and  
hardware models  
■ Fast Block Erase  
– Bad Blocks Management and Wear  
Leveling algorithms  
– File System OS Native reference software  
– Hardware simulation models  
– Block erase time: 2ms (typ)  
■ Status Register  
■ Electronic Signature  
■ Chip Enable ‘don’t care’  
– for simple interface with microcontroller  
■ Serial Number option  
December 2007  
Rev 5  
1/58  
www.numonyx.com  
1
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与NAND04GW3B2BN6E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NAND04GW3B2BN6F STMICROELECTRONICS

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 		4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories
NAND04GW3B2BN6F NUMONYX

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 		4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories
NAND04GW3B2BN6T NUMONYX

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 		Flash, 512MX8, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
NAND04GW3B2BN6T STMICROELECTRONICS

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 		512MX8 FLASH 3V PROM, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
NAND04GW3B2CN1 STMICROELECTRONICS

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 		512MX8 FLASH 3V PROM, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
NAND04GW3B2CN1E NUMONYX

获取价格

 		4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash
NAND04GW3B2CN1F NUMONYX

获取价格

 		4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash
NAND04GW3B2CN1T STMICROELECTRONICS

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 		Flash, 512MX8, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
NAND04GW3B2CN6 STMICROELECTRONICS

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 		512MX8 FLASH 3V PROM, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
NAND04GW3B2CN6E NUMONYX

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 		4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash

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