5秒后页面跳转
| 品牌 | Logo | 应用领域 |
| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
/ |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 57页 | 887K |  |
| 描述 | ||
| Flash, 128MX16, 35ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63 | ||
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | 9.50 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63 |
| 针数： | 63 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.1.A | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.24 | 最长访问时间： | 35 ns |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B63 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 12 mm | 内存密度： | 2147483648 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 63 |
| 字数： | 134217728 words | 字数代码： | 128000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 128MX16 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TFBGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 编程电压： | 3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 类型： | NAND TYPE | 宽度： | 9.5 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NAND02GW4B2CZB6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
|
| NAND02GW4B2D | NUMONYX |
获取价格 |
2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memorie |
|
| NAND02GW4B2DN6E | NUMONYX |
获取价格 |
2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memorie |
|
| NAND02GW4B2DN6F | NUMONYX |
获取价格 |
2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memorie |
|
| NAND02GW4B2DZA6E | NUMONYX |
获取价格 |
2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memorie |
|
| NAND02GW4B2DZA6F | NUMONYX |
获取价格 |
2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memorie |
|
| NAND02GW4B3AZB6F | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Flash, 128MX16, 35ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, |
|
| NAND04GA3C2A | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory |
|
| NAND04GA3C2AN1E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory |
|
| NAND04GA3C2AN1F | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
