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NAND04GR3B2CN1 PDF预览

NAND04GR3B2CN1

更新时间： 2024-09-24 13:02:43
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
69页 1707K
描述
Flash, 512MX8, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48

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NAND04GR3B2CN1 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：TSOP
包装说明：TSOP1,针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.22
Is Samacsys：N最长访问时间：35 ns
JESD-30 代码：R-PDSO-G48JESD-609代码：e0
长度：18.4 mm内存密度：4294967296 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1端子数量：48
字数：536870912 words字数代码：512000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：512MX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
编程电压：1.8 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
类型：NAND TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

NAND04GR3B2CN1 数据手册

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NAND04G-B2D, NAND08G-BxC  
4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page  
multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memories  
Preliminary Data  
Features  
■ High density NAND Flash Memory  
– Up to 8 Gbit memory array  
– Cost-effective solution for mass storage  
applications  
■ NAND interface  
TSOP48 12 x 20 mm (N)  
– x8 or 16x bus width  
– Multiplexed address/data  
LGA  
■ Supply voltage: 1.8 V or 3.0 V device  
■ Page size  
LGA52 12 x 17 mm (ZL)  
– x8 device: (2048 + 64 spare) bytes  
– x16 device: (1024 + 32 spare) words  
r
■ Data protection:  
■ Block size  
– Hardware program/erase disabled during  
power transitions  
– x8 device: (128K + 4 K spare) bytes  
– x16 device: (64K + 2 K spare) words  
– Non-volatile protection option  
■ ONFI 1.0 compliant command set  
■ Data integrity  
■ Multiplane architecture  
– Array split into two independent planes  
– Program/erase operations can be  
– 100 000 program/erase cycles (with ECC  
(error correction code))  
performed on both planes at the same time  
■ Page read/program  
– 10 years data retention  
– Random access: 25 µs (max)  
– Sequential access: 25 ns (min)  
– Page program time: 200 µs (typ)  
®
■ ECOPACK packages  
Table 1.  
Device Summary  
Part number  
– Multiplane page program time (2 pages):  
200 µs (typ)  
Reference  
NAND04GR3B2D  
NAND04GW3B2D  
NAND04GR4B2D(1)  
NAND04GW4B2D(1)  
NAND08GR3B2C,  
NAND08GW3B2C  
NAND08GR4B2C(1)  
NAND08GW4B2C(1)  
NAND08GR3B4C  
NAND08GW3B4C  
■ Copy back program with automatic error  
detection code (EDC)  
NAND04G-B2D  
NAND08G-BxC  
■ Cache read mode  
■ Fast block erase  
– Block erase time: 1.5 ms (typ)  
– Multiblock erase time (2 blocks):  
1.5 ms (typ)  
■ Status Register  
■ Electronic signature  
■ Chip Enable ‘don’t care’  
■ Serial number option  
1. x16 organization only available for MCP products.  
December 2007  
Rev 3  
1/69  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to  
change without notice.  
www.numonyx.com  
1
1234567...69

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与NAND04GR3B2CN1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NAND04GR3B2CN1E NUMONYX

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 		4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash
NAND04GR3B2CN1E STMICROELECTRONICS

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 		512MX8 FLASH 1.8V PROM, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48
NAND04GR3B2CN1F NUMONYX

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 		4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash
NAND04GR3B2CN1F STMICROELECTRONICS

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 		Flash, 512MX8, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48
NAND04GR3B2CN1T NUMONYX

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 		暂无描述
NAND04GR3B2CN1T STMICROELECTRONICS

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 		512MX8 FLASH 1.8V PROM, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
NAND04GR3B2CN6 STMICROELECTRONICS

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 		Flash, 512MX8, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
NAND04GR3B2CN6E NUMONYX

获取价格

 		4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash
NAND04GR3B2CN6E STMICROELECTRONICS

获取价格

 		Flash, 512MX8, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48
NAND04GR3B2CN6F NUMONYX

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 		4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash

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