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N1651QK220

更新时间： 2024-11-09 19:49:39
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅栅极
页数 文件大小 规格书
11页 272K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 3253A I(T)RMS, 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element, WESPACK-4

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N1651QK220 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：DISK BUTTON, O-CXDB-X4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.82
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：300 mA
JESD-30 代码：O-CXDB-X4元件数量：1
端子数量：4封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：3253 A断态重复峰值电压：2200 V
重复峰值反向电压：2200 V表面贴装：YES
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

N1651QK220 数据手册

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Date:- 1 Aug, 2005  
Data Sheet Issue:- 1  
WESTCODE  
IXYS  
An  
Company  
Provisional Data  
Wespack Phase Control Thyristor  
Types N1651QK200 to N1651QK220  
Development Type No.: NX058QK200-220  
Absolute Maximum Ratings  
MAXIMUM  
LIMITS  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
VDRM  
VDSM  
VRRM  
VRSM  
Repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
2000-2200  
2000-2200  
2000-2200  
2100-2300  
V
V
V
V
MAXIMUM  
LIMITS  
OTHER RATINGS  
UNITS  
IT(AV)M  
IT(AV)M  
IT(AV)M  
Maximum average on-state current, Tsink=55°C, (note 2)  
Maximum average on-state current. Tsink=85°C, (note 2)  
Maximum average on-state current. Tsink=85°C, (note 3)  
1651  
1138  
591  
A
A
A
IT(RMS)M Nominal RMS on-state current, Tsink=25°C, (note 2)  
3253  
2836  
17.3  
A
IT(d.c.)  
ITSM  
ITSM2  
I2t  
D.C. on-state current, Tsink=25°C, (note 4)  
A
Peak non-repetitive surge tp=10ms, Vrm=60%VRRM, (note 5)  
kA  
kA  
A2s  
A2s  
≤
19.0  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, Vrm 10V, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, Vrm=60%VRRM, (note 5)  
1.50×106  
1.81×106  
100  
I2t  
≤
I2t capacity for fusing tp=10ms, Vrm 10V, (note 5)  
(continuous, 50Hz)  
(repetitive, 50Hz, 60s)  
(non-repetitive)  
(di/dt)cr Critical rate of rise of on-state current (note 6)  
200  
A/µs  
400  
VRGM  
PG(AV)  
PGM  
Peak reverse gate voltage  
Mean forward gate power  
Peak forward gate power  
Operating temperature range  
Storage temperature range  
5
V
4
W
W
°C  
°C  
30  
Tj op  
-40 to +125  
-40 to +150  
Tstg  
Notes:-  
1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for Tj below 25°C.  
2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
3) Cathode side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
4) Double side cooled.  
5) Half-sinewave, 125°C Tj initial.  
≤
6) VD=67% VDRM, ITM=2000A, IFG=2A, tr 0.5µs, Tcase=125°C.  
Provisional Data Sheet. Types N1651QK200 to N1651QK220 Issue 1  
Page 1 of 11  
August, 2005  
1234567...11

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