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MXLP4KE6.8A

更新时间： 2024-09-16 07:44:03

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
6页	428K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 5.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN

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MXLP4KE6.8A 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	PLASTIC, DO-41, 2 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.38
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最大击穿电压：	7.14 V
最小击穿电压：	6.45 V	击穿电压标称值：	6.8 V
外壳连接：	ISOLATED	最大钳位电压：	10.5 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-204AL
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值反向功率耗散：	400 W
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	2.5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	5.8 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MXLP4KE6.8AE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 5.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
MXLP4KE6.8ATR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 5.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
MXLP4KE6.8CAE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 5.8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
MXLP4KE6.8CATR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 5.8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
MXLP4KE6.8CE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode
MXLP4KE62	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode
MXLP4KE62A	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 53V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
MXLP4KE62AE3TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 53V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
MXLP4KE62ATR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 53V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
MXLP4KE62CA	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 53V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-20