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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> MURF810-BP
MURF810-BP PDF预览

MURF810-BP

更新时间： 2024-11-02 13:11:55
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 整流二极管瞄准线功效局域网
页数 文件大小 规格书
2页 104K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ITO-220AC, 2 PIN

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MURF810-BP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AC
包装说明：R-PSFM-T2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.84
其他特性：LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：TO-220ACJESD-30 代码：R-PSFM-T2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：125 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向恢复时间：0.035 µs表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MURF810-BP 数据手册

 浏览型号MURF810-BP的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
21201 Itasca Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
MURF805  
THRU  
MURF860  
Features  
·
·
·
·
Low Power Loss , High Effciency  
Low Forward Voltage , High Current Capability  
High Surge Capacity  
8 Amp Isolation  
Super Fast Recovery  
Rectif ier  
Super Fast Recovery Times , High Voltage  
50 to 400 Volts  
Maximum Ratings  
·
·
Operating Juncti on Temperature:-55°C to +150°C  
Storage Temperature: -55°C to +150°C  
ITO-220AC  
Microsemi  
Catalog  
Device  
Marking  
Maximum  
Recurrent  
Peak  
Maximum Maximum  
RMS  
Voltage  
B
K
L
DC  
Blocking  
Voltage  
C
Number  
D
Reverse  
Voltage  
50V  
A
J
MURF805 MURF805  
MURF810 MURF810  
MURF820 MURF820  
MURF840 MURF840  
MURF860 MURF860  
35V  
70V  
50V  
100V  
200V  
400V  
600V  
PIN  
1
2
100V  
E
I
200V  
400V  
600V  
140V  
320V  
480V  
F
H
G
M
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
PIN 1  
PIN 2  
Average Forward  
Current  
IF(AV)  
8.0A  
TC = 100°C  
Peak Forward Surge  
Current  
IFSM  
125A 8.3 ms, half sine  
Maximum Forward  
Voltage Drop Per  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢁꢆꢄꢅ  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
Element  
VF  
0.95V IFM = 8 A  
INCHES  
MIN  
.583  
---  
.100  
.248  
MM  
F805-F820  
1.30V  
DIM  
A
B
C
D
E
F
G
H
I
MAX  
MIN  
14.80  
---  
MAX  
TJ = 25°C  
F840  
F860  
.606  
.406  
.112  
15.40  
10.30  
2.85  
6.90  
4.10  
1.70V  
2.55  
Maximum DC  
Reverse Current At  
Rated DC Blocking  
Voltage  
.272  
.161  
6.30  
---  
IR  
10 uA TA = 25°C  
---  
.512  
.543  
13.00  
13.80  
500uA  
TA = 125°C  
.200  
5.10  
---  
---  
.035  
---  
0.90  
0.80  
3.40  
4.80  
3.10  
2.90  
.032  
.134  
---  
3.00  
Maximum Reverse  
Recovery Time  
F805-F820  
F840  
J
K
L
M
.118  
---  
---  
.098  
.189  
---  
35ns  
50ns  
IF=0.5A, IR=1.0A,  
Irr=0.25A  
Trr  
.123  
---  
.114  
2.50  
100ns  
F860  
*Pulse test: Pulse width 200 msec, Duty cycle 1%  
www.mccsemi.com  
12

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