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MURF40040R

更新时间： 2024-02-23 11:08:24

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GENESIC		超快速恢复二极管局域网
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3页	352K
描述
Silicon Super Fast Recovery Diode

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MURF40040R 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	R-XUFM-X2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
应用：	SUPER FAST RECOVERY	外壳连接：	ANODE
配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.3 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X2	最大非重复峰值正向电流：	3300 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	200 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	最大重复峰值反向电压：	400 V
最大反向电流：	25 µA	最大反向恢复时间：	0.18 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	Base Number Matches：	1

MURF40040R 数据手册

MURF40040 thru MURF40060R

V_RRM= 400 V - 600 V

I_F(AV)= 400 A

Silicon Super Fast

Recovery Diode

Features

• High Surge Capability

• Types from 400 V to 600 V V_RRM

• Not ESD Sensitive

TO-244 Package

Maximum ratings, at T_j= 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)

Conditions

MURF40060(R)

Parameter

Symbol

MURF40040(R)

Unit

V_RRM

600

Repetitive peak reverse voltage

400

V_RMS

V_DC

T_j

420

RMS reverse voltage

DC blocking voltage

Operating temperature

Storage temperature

280

600

400

-55 to 150

°C

T_stg

Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified

Conditions

T_C= 140 °C

MURF40060(R)

Parameter

Symbol

I_F(AV)

I_FSM

MURF40040(R)

Unit

400

Average forward current (per pkg)

Peak forward surge current (per leg)

400

t_p= 8.3 ms, half sine

3300

Maximum instantaneous forward

voltage (per leg)

V_F

I_FM= 200 A, T_j= 25 °C

1.70

1.30

T_j= 25 °C

T_j= 125 °C

μA

Maximum reverse current at rated DC

blocking voltage (per leg)

I_R

I_F=0.5 A, I_R=1.0 A,

Maximum reverse recovery time (per

leg)

T_rr

240

180

_RR= 0.25 A

Thermal characteristics

Maximum thermal resistance, junction -

case (per leg)

R_ΘJC

0.35

°C/W

www.genesicsemi.com/silicon-products/super-fast-recovery-rectifiers/

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