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MURF2005CT

更新时间： 2024-11-19 02:54:47

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德欧泰克 - DIOTEC		超快速恢复二极管
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2页	165K
描述
SUPER FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER

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MURF2005CT 数据手册

MURF2060CT

I_FAV= 2x 10 A

V_F125~ 1.25 V

T_jmax= 175°C

V_RRM= 600 V

I_FSM= 90/100 A

t_rr1< 25 ns

Superfast Efficient Rectifier Diodes

Superschnelle Gleichrichter für hohen Wirkungsgrad

Version 2016-11-28

Typical Applications

Typische Anwendungen

Rectification of higher frequencies,

Gleichrichtung hoher Frequenzen

Wandlerstufen mit hohem Wirkungsgrad

Freilaufdioden

High efficient switching stages

Free-wheeling diodes

ITO-220AB

10.1^±0.3

Commercial grade ¹)

Standardausführung ¹)

2.6^±0.2

Features

Isolated package

Besonderheiten

Isoliertes Gehäuse

Ø 3.2^±0.2

4.5^±0.2

Dual diode, common cathode

Very low reverse recovery time

Low forward voltage drop

Compliant to RoHS, REACH,

Conflict Minerals ¹)

Doppeldiode, gemeinsame Kathode

Sehr niedrige Sperrverzugszeit

Type

Typ

1 2 3

Niedrige Fluss-Spannung

2.6^±0.2

Konform zu RoHS, REACH,

Konfliktmineralien ¹)

2 3

1.3

0.7^±0.2

0.6^±0.1

Mechanical Data ¹)

Mechanische Daten ¹)

2.54^±0.1

Packed in tubes

Verpackt in Stangen

Gewicht ca.

Weight approx.

1.8 g

Dimensions - Maße [mm]

Case material

UL 94V-0

260°C/10s

MSL N/A

Gehäusematerial

Solder & assembly conditions

Löt- und Einbaubedingungen

Maximum ratings ²)

Grenzwerte ²)

Type

Typ

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

V_RRM[V]

Surge peak reverse voltage

Stoßspitzensperrspannung

V_RSM[V]

MURF2060CT

600

Average forward current

Dauergrenzstrom

10 A ³)

20 A ⁴)

T_C= 85°C

I_FAV

I_FRM

I_FSM

i²t

Repetitive peak forward current

Periodischer Spitzenstrom

f > 15 Hz

18 A ²)

Peak forward surge current

Stoßstrom in Fluss-Richtung

Half sine-wave

Sinus-Halbwelle

50 Hz (10 ms)

60 Hz (8.3 ms)

90 A ²)

100 A ²)

Rating for fusing

Grenzlastintegral

t < 10 ms

T_A= 25°C

40 A²s

Characteristics

Kennwerte

Leakage current

Sperrstrom

T_j= 25°C

T_j= 125°C

< 1 µA

< 100 µA

V_R= V_RRM

V_R= 4 V

I_R

C_j

Junction capacitance – Sperrschichtkapazität

typ. 40 pF

Thermal resistance junction to case

Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse

R_thC

< 6.0 K/W ³)

Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book

Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches

T_A= 25°C unless otherwise specified – T_A= 25°C wenn nicht anders angegeben

Per diode − Pro Diode

Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb)

http://www.diotec.com/

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MURF2005CT??	MDD	获取价格	ITO-220AB
MURF20060	GENESIC	获取价格	Silicon Super Fast Recovery Diode
MURF20060R	GENESIC	获取价格	Silicon Super Fast Recovery Diode
MURF2010	DIOTECH	获取价格	SUPER FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER
MURF2010CT	SENO	获取价格	20.0A GLASS PASSIVATED SUPER FAST RECTIFIER
MURF2010CT	DYELEC	获取价格	High surge capability
MURF2010CT??	MDD	获取价格	ITO-220AB
MURF2015	DIOTECH	获取价格	SUPER FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER
MURF2020	DIOTECH	获取价格	SUPER FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER
MURF2020	KISEMICONDUCTOR	获取价格	GLASS PASSIVATED SUPER FAST RECTIFIER

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