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MURF20020R

更新时间： 2024-11-19 01:01:15

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GENESIC		超快速恢复二极管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	342K
描述
Silicon Super Fast Recovery Diode

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MURF20020R 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.82	应用：	SUPER FAST RECOVERY
外壳连接：	ANODE	配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	JEDEC-95代码：	TO-244
JESD-30 代码：	R-PUFM-X2	最大非重复峰值正向电流：	2000 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	100 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	最大重复峰值反向电压：	200 V
最大反向电流：	25 µA	最大反向恢复时间：	0.075 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER

MURF20020R 数据手册

MURF10005 thru MURF10020R

V_RRM= 50 V - 200 V

I_F(AV)= 100 A

Silicon Super Fast

Recovery Diode

Features

• High Surge Capability

• Types from 50 V to 200 V V_RRM

• Not ESD Sensitive

TO-244 Package

Maximum ratings, at T_j= 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)

Conditions

MURF10020(R)

Parameter

Symbol

MURF10005(R)

MURF10010(R)

Unit

V_RRM

200

Repetitive peak reverse voltage

100

V_RMS

V_DC

T_j

140

RMS reverse voltage

DC blocking voltage

Operating temperature

Storage temperature

200

100

-55 to 150

°C

T_stg

Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified

Conditions

T_C= 140 °C

MURF10020(R)

Parameter

Symbol

I_F(AV)

I_FSM

MURF10005(R)

MURF10010(R)

Unit

Average forward current (per

pkg)

100

Peak forward surge current (per

leg)

t_p= 8.3 ms, half sine

1500

Maximum instantaneous

forward voltage (per leg)

V_F

_FM= 50 A, T_j= 25 °C

T_j= 25 °C

1.0

Maximum reverse current at

rated DC blocking voltage (per

leg)

μA

I_R

T_j= 125 °C

I_F=0.5 A, I_R=1.0 A,

Maximum reverse recovery time

(per leg)

T_rr

_RR= 0.25 A

Thermal characteristics

Maximum thermal resistance,

junction - case (per leg)

R_ΘJC

1.00

°C/W

www.genesicsemi.com/silicon-products/super-fast-recovery-rectifiers/

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