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MUR810

更新时间： 2024-02-12 00:38:41

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Glass Passivated Efficient Fast Recovery Rectifier

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MUR810 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PSFM-T2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.1
应用：	ULTRA FAST RECOVERY POWER	外壳连接：	ANODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.975 V
JEDEC-95代码：	TO-220AC	JESD-30 代码：	R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：	100 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	8 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向电流：	5 µA	最大反向恢复时间：	0.035 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

MUR810 数据手册

MUR805 THRU MUR860

Glass Passivated Efficient Fast Recovery Rectifier

YENYO

Voltage Range 50 to 600 V

Current 8.0 Ampere

Features

 Fast switching for high efficiency

 Low forward voltage drop

 High current capability

 Low reverse leakage current

 High surge current capability

Mechanical Data

TO-220AC

.185(4.70)

.175(4.44)

MAX.412(10.5)

.154(3.91)

.137(3.50)

.055(1.40)

.045(1.14)

.072(1.82)

DIA

.062(1.58)

.057(1.45)

.052(1.33)

.638(16.2)

.602(15.3)

 Case: Molded plastic TO-220AC

 Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant

 Terminals: Solderable per MIL-STD-202

method 208

.056(1.43)

.048(1.22)

.526(13.35)

.508(12.90)

.102(2.60)

.088(2.25)

.037(0.94)

.027(0.68)

.025(0.64)

.014(0.35)

.205(5.20)

.195(4.95)

 Polarity:Color band denotes cathode

 Mounting position: Any

 Weight: 2.07 grams

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25

C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

MUR805

MUR810

MUR820

MUR840

MUR860

UNIT

CHARACTERISTIC

SYMBOL

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

VRRM

VRMS

VDC

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

Maximum DC Blocking Voltage

100

Maximum Average Forward Rectified

Current TC=150^oC

8.0

IF(AV)

Peak Forward Surge Current, 8.3ms single

Half sine-wave superimposed on rated load

(JEDEC method)

IFSM

125

Maximum Instantaneous Forward Voltage

@ 8.0 A

0.975

1.3

1.5

Maximum DC Reverse Current @TJ=25^oC

At Rated DC Blocking Voltage @TJ=125^oC

10.0

250

Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)

Typical Thermal Resistance (Note 2)

Trr

R JC

3.0

2.0

^oCW

Operating Junction and Storage

Temperature Range

^oC

-65 to +175

TJ, TSTG

NOTES : (1) Reverse recovery test conditions IF = 0.5A, IR = 1.0A, Irr = 0.25A.

(2) Thermal Resistance junction to case.

1 / 2

R2 JUL-11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MUR8100	SIRECTIFIER	获取价格	快速恢复二极管Fast Recovery Diodes，超快恢复二极管Ultra Fast
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MUR8100	NJSEMI	获取价格	Diode Switching 1KV 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail
MUR8100E	KERSEMI	获取价格	Ultrafast âEââ Series with High Reverse
MUR8100E	FAIRCHILD	获取价格	8A, 1000V Ultrafast Diodes
MUR8100E	INTERSIL	获取价格	8A, 1000V Ultrafast Diodes
MUR8100E	ONSEMI	获取价格	SWITCHMODE Power Rectifiers
MUR8100E	DIGITRON	获取价格	Rectifier, Ultra Fast Recovery; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 8; Max TMS Bridge Inp
MUR8100E	MOTOROLA	获取价格	Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 8A, 1000V V(RRM), Silicon, TO-220AC,
MUR8100E	ROCHESTER	获取价格	8A, 1000V, SILICON, RECTIFIER DIODE

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