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MUR1100E

更新时间： 2024-11-01 22:29:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 整流二极管开关
页数 文件大小 规格书
8页 86K
描述
SWITCHMODE Power Rectifiers

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MUR1100E 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：PLASTIC, 59-04, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.27
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.7 VJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：35 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1000 V最大反向恢复时间：0.1 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：AVALANCHE端子面层：Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

MUR1100E 数据手册

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MUR180E, MUR1100E  
MUR1100E is a Preferred Device  
SWITCHMODE  
Power Rectifiers  
Ultrafast “E” Series with High Reverse  
Energy Capability  
http://onsemi.com  
. . . designed for use in switching power supplies, inverters and as  
free wheeling diodes, these state–of–the–art devices have the  
following features:  
ULTRAFAST  
RECTIFIERS  
1.0 AMPERES  
800–1000 VOLTS  
• 10 mjoules Avalanche Energy Guaranteed  
• Excellent Protection Against Voltage Transients in Switching  
Inductive Load Circuits  
• Ultrafast 75 Nanosecond Recovery Time  
• 175°C Operating Junction Temperature  
• Low Forward Voltage  
• Low Leakage Current  
• High Temperature Glass Passivated Junction  
• Reverse Voltage to 1000 Volts  
Mechanical Characteristics:  
• Case: Epoxy, Molded  
• Weight: 0.4 gram (approximately)  
• Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal  
Leads are Readily Solderable  
• Lead and Mounting Surface Temperature for Soldering Purposes:  
220°C Max. for 10 Seconds, 1/16″ from case  
AXIAL LEAD  
CASE 059–10  
PLASTIC  
• Shipped in plastic bags, 1000 per bag  
• Available Tape and Reeled, 5000 per reel, by adding a “RL’’ suffix to  
the part number  
MARKING DIAGRAM  
• Polarity: Cathode Indicated by Polarity Band  
• Marking: MUR180E, MUR1100E  
MUR1x0E  
MUR1x0E = Device Code  
MAXIMUM RATINGS  
x
= 8 or 10  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
V
V
V
RRM  
RWM  
ORDERING INFORMATION  
DC Blocking Voltage  
MUR180E  
MUR1100E  
V
800  
1000  
R
Device  
Package  
Axial Lead  
Axial Lead  
Axial Lead  
Axial Lead  
Shipping  
Average Rectified Forward Current  
(Note 1.) (Square Wave Mounting  
Method #3 Per Note 3.)  
I
1.0 @  
T = 95°C  
A
A
MUR180E  
1000 Units/Bag  
5000/Tape & Reel  
1000 Units/Bag  
F(AV)  
A
MUR180ERL  
MUR1100E  
MUR1100ERL  
Non-Repetitive Peak Surge Current  
(Surge applied at rated load conditions,  
halfwave, single phase, 60 Hz)  
I
35  
FSM  
5000/Tape & Reel  
Operating Junction Temperature and  
Storage Temperature Range  
T , T  
–65 to  
+175  
°C  
J
stg  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
1. Pulse Test: Pulse Width = 300 ms, Duty Cycle ≤ 2.0%.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002  
1
Publication Order Number:  
August, 2002 – Rev. 1  
MUR180E/D  
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MUR1100E 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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MUR1100-T MCC

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 		Rectifier Diode,
MUR1100-TP MCC

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PAC

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