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MTP8N45

更新时间： 2024-11-28 20:49:39

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摩托罗拉 - MOTOROLA		/
页数	文件大小	规格书
1页	55K
描述
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 450V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

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MTP8N45 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.83
其他特性：	LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	450 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8 A	最大漏极电流 (ID)：	8 A
最大漏源导通电阻：	0.8 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	150 pF	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	125 W
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	32 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	320 ns
最大开启时间（吨）：	210 ns	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MTP8N50	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
MTP8N50E	MOTOROLA	获取价格	TMOS POWER FET 8.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 0.8 OHM
MTP8N50E16	MOTOROLA	获取价格	8A, 500V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
MTP8N50EA	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
MTP8N50EA16A	MOTOROLA	获取价格	8A, 500V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
MTP8N50EAF	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
MTP8N50EAJ	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
MTP8N50EC	MOTOROLA	获取价格	8A, 500V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
MTP8N50ED1	MOTOROLA	获取价格	8 A, 500 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
MTP8N50EL	MOTOROLA	获取价格	8A, 500V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB