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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.76 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 125 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTP8N50EA | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| MTP8N50EA16A | MOTOROLA |
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8A, 500V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP8N50EAF | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| MTP8N50EAJ | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| MTP8N50EC | MOTOROLA |
获取价格 |
8A, 500V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP8N50ED1 | MOTOROLA |
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8 A, 500 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP8N50EL | MOTOROLA |
获取价格 |
8A, 500V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP8N50EN | MOTOROLA |
获取价格 |
8A, 500V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP8N50ES | MOTOROLA |
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8A, 500V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP8N50ET | MOTOROLA |
获取价格 |
8A, 500V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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