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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.69 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (ID)： | 6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 125 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTP6N60EUA | MOTOROLA |
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暂无描述 |
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| MTP6N60EW | MOTOROLA |
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暂无描述 |
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| MTP6N60EWC | MOTOROLA |
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6A, 600V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP6P20E | MOTOROLA |
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TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 1.0 OHM |
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| MTP6P20E | ONSEMI |
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是功率MOSFET设计，高能量的雪崩和减刑模式。 |
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| MTP6P20E16 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 200V, 1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| MTP6P20EA | MOTOROLA |
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6A, 200V, 1ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP6P20EA16A | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 200V, 1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| MTP6P20EAF | MOTOROLA |
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6A, 200V, 1ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP6P20EAJ | MOTOROLA |
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6A, 200V, 1ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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