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MTP2955E PDF预览

MTP2955E

更新时间： 2024-09-29 22:45:47
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 210K
描述
TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.3 OHM

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MTP2955E 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.73
雪崩能效等级（Eas）：216 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A
最大漏极电流 (ID)：12 A最大漏源导通电阻：0.3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：100 pF
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
功耗环境最大值：75 W最大功率耗散 (Abs)：75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：36 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：55 ns最大开启时间（吨）：100 ns
Base Number Matches：1

MTP2955E 数据手册

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by MTP2955E/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Motorola Preferred Device  
P–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate  
TMOS POWER FET  
12 AMPERES  
60 VOLTS  
This advanced TMOS E–FET is designed to withstand high  
energy in the avalanche and commutation modes. The new energy  
efficient design also offers a drain–to–source diode with a fast  
recovery time. Designed for low voltage, high speed switching  
applications in power supplies, converters and PWM motor  
controls, these devices are particularly well suited for bridge circuits  
where diode speed and commutating safe operating areas are  
critical and offer additional safety margin against unexpected  
voltage transients.  
R
= 0.3 OHM  
DS(on)  
•
•
Avalanche Energy Specified  
Source–to–Drain Diode Recovery Time Comparable to a  
Discrete Fast Recovery Diode  
•
•
Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits  
I
and V Specified at Elevated Temperature  
DSS  
DS(on)  
D
G
CASE 221A–06, Style 5  
TO–220AB  
S
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Drain–Source Voltage  
V
DSS  
Drain–Gate Voltage (R  
= 1.0 MΩ)  
V
DGR  
60  
GS  
Gate–Source Voltage — Continuous  
Gate–Source Voltage — Non–Repetitive (t ≤ 10 ms)  
V
± 15  
± 20  
Vdc  
Vpk  
GS  
V
GSM  
p
Drain Current — Continuous  
Drain Current — Continuous @ 100°C  
Drain Current — Single Pulse (t ≤ 10 µs)  
I
I
12  
7.0  
36  
Adc  
Apk  
D
D
I
p
DM  
Total Power Dissipation  
Derate above 25°C  
P
D
75  
0.6  
Watts  
W/°C  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
stg  
–55 to 150  
216  
°C  
J
Single Pulse Drain–to–Source Avalanche Energy — Starting T = 25°C  
E
AS  
mJ  
J
(V  
DD  
= 25 Vdc, V = 10 Vdc, I = 12 Apk, L = 3.0 mH, R = 25 Ω)  
GS L G  
Thermal Resistance — Junction to Case  
Thermal Resistance — Junction to Ambient  
R
R
1.67  
62.5  
°C/W  
°C  
θJC  
θJA  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
260  
L
Designer’s Data for “Worst Case” Conditions — The Designer’s Data Sheet permits the design of most circuits entirely from the information presented. SOA Limit  
curves — representing boundaries on device characteristics — are given to facilitate “worst case” design.  
E–FET and Designer’s are trademarks of Motorola, Inc. TMOS is a registered trademark of Motorola, Inc.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 2  
Motorola, Inc. 1995  
12345678

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MTP2955E 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MTP2955 MOTOROLA

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 TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.230 OHM

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
MTP2955N MOTOROLA

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 		暂无描述
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 		12 A, 60 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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