是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | DFP | 包装说明: | DFP, FL32,.4 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.24 | 最长访问时间: | 25 ns |
其他特性: | TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS; BATTERY BACKUP; LOW POWER STANDBY | I/O 类型: | SEPARATE |
JESD-30 代码: | R-CDFP-F32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 20.828 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 1 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 1MX1 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | DFP | 封装等效代码: | FL32,.4 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 2.9718 mm | 最大待机电流: | 0.001 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.12 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | FLAT | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 10.414 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MT5C1001F-25L/XT | AUSTIN |
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1M x 1 SRAM SRAM MEMORY ARRAY | |
MT5C1001F-25LE/883C | MICROSS |
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Standard SRAM, 1MX1, 25ns, CMOS, CDFP32, CERAMIC, FP-32 | |
MT5C1001F-25P/883C | MICROSS |
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Standard SRAM, 1MX1, 25ns, CMOS, CDFP32, CERAMIC, FP-32 | |
MT5C1001F-35/883C | AUSTIN |
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1M x 1 SRAM SRAM MEMORY ARRAY | |
MT5C1001F-35/883C | MICROSS |
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Standard SRAM, 1MX1, 35ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, FLATPACK-32 | |
MT5C1001F-35/IT | AUSTIN |
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1M x 1 SRAM SRAM MEMORY ARRAY | |
MT5C1001F-35/IT | MICROSS |
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Standard SRAM, 1MX1, 35ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, FLATPACK-32 | |
MT5C1001F-35/XT | AUSTIN |
获取价格 |
1M x 1 SRAM SRAM MEMORY ARRAY | |
MT5C1001F-35/XT | MICROSS |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX1, 35ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, FLATPACK-32 | |
MT5C1001F-35E/883C | MICROSS |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX1, 35ns, CMOS, CDFP32, CERAMIC, FP-32 |