Datasheet > MT58L256L18P1T-5

MT58L256L18P1T-5

更新时间： 2024-02-01 22:10:15

品牌	Logo	应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
31页	1131K
描述
256KX18 CACHE SRAM, 2.8ns, PQFP100, PLASTIC, MS-026, TQFP-100

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MT58L256L18P1T-5 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LQFP,	针数：	100
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.44
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	3.1 ns
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	长度：	20 mm
内存密度：	4718592 bit	内存集成电路类型：	CACHE SRAM
内存宽度：	18	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX18	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

MT58L256L18P1T-5 数据手册

4Mb: 256K x 18, 128K x 32/36

PIPELINED, SCD SYNCBURST SRAM

GENERALDESCRIPTION(continued)

(CE#), two additional chip enables for easy depth ex-

pansion (CE2, CE2#), burst control inputs (ADSC#,

ADSP#, ADV#), byte write enables (BWx#) and global

write (GW#).

Asynchronous inputs include the output enable

(OE#), clock (CLK) and snooze enable (ZZ). There is

also a burst mode input (MODE) that selects between

interleaved and linear burst modes. The data-out (Q),

enabled by OE#, is also asynchronous. WRITE cycles

can be from one to two bytes wide (x18) or from one to

four bytes wide (x32/x36), as controlled by the write

control inputs.

Burst operation can be initiated with either address

status processor (ADSP#) or address status controller

(ADSC#) inputs. Subsequent burst addresses can be

internally generated as controlled by the burst advance

input (ADV#).

Address and write control are registered on-chip to

simplify WRITE cycles. This allows self-timed WRITE

cycles. Individual byte enables allow individual bytes

to be written. During WRITE cycles on the x18 device,

BWa# controls DQa pins and DQPa; BWb# controls DQb

pins and DQPb. During WRITE cycles on the x32 and

x36 devices, BWa# controls DQa pins and DQPa; BWb#

controls DQb pins and DQPb; BWc# controls DQc pins

and DQPc; BWd# controls DQd pins and DQPd. GW#

LOW causes all bytes to be written. Parity bits are only

available on the x18 and x36 versions.

This device incorporates a single-cycle deselect fea-

ture during READ cycles. If the device is immediately

deselected after a READ cycle, the output bus goes to a

High-Z state KQHZ nanoseconds after the rising edge

of clock.

Micron’s 4Mb SyncBurst SRAMs operate from a +3.3V

V^DDpower supply, and all inputs and outputs are TTL-

compatible. Users can choose either a 3.3V or 2.5V I/O

version. The device is ideally suited for Pentium and

PowerPC pipelined systems and systems that benefit

from a very wide, high-speed data bus. The device is

also ideal in generic 16-, 18-, 32-, 36-, 64-, and 72-bit-

wide applications.

Please refer to Micron’s Web site (www.micron.com/

sramds) for the latest data sheet.

4Mb:256Kx18, 128Kx32/36Pipelined, SCDSyncBurstSRAM

MT58L256L18P1_F.p65 – Rev. F, Pub. 1/03 EN

MicronTechnology,Inc.,reservestherighttochangeproductsorspecificationswithoutnotice.

1 2 345 6 7...31

中文翻译

下载PDF

与MT58L256L18P1T-5相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MT58L256L18P1T-5IT	CYPRESS	获取价格	Cache SRAM, 256KX18, 3.1ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100
MT58L256L18P1T-6	ROCHESTER	获取价格	256KX18 CACHE SRAM, 3.5ns, PQFP100, PLASTIC, MS-026, TQFP-100
MT58L256L18P1T-6IT	CYPRESS	获取价格	Cache SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100
MT58L256L18P1T-7.5	ROCHESTER	获取价格	256KX18 CACHE SRAM, 4ns, PQFP100, PLASTIC, MS-026, TQFP-100
MT58L256L18P1T-7.5IT	CYPRESS	获取价格	Cache SRAM, 256KX18, 4ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100
MT58L256L32D	MICRON	获取价格	8Mb: 512K x 18, 256K x 32/36 3.3V I/O, PIPELINED, DCD SYNCBURST SRAM
MT58L256L32DB-10IT	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 256KX32, 5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028BHA, BGA-119
MT58L256L32DB-5	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 256KX32, 3.1ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119
MT58L256L32DB-6.6	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 256KX32, 3.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119
MT58L256L32DB-6IT	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 256KX32, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028BHA, BGA-119

与MT58L256L18P1T-5相关文章

压敏电阻器在直流电路中的过压保护应用探讨
2024-06-07

2
电感耐压值及其与电感大小的关系
2024-06-07

5
CNY17F光耦合器：特性、应用、封装、引脚功能及替换型号解析
2024-06-07

4
DS1307资料解析：特性、引脚说明、替代推荐
2024-06-07

3

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MT58L256L18P1T-5

MT58L256L18P1T-5 技术参数

MT58L256L18P1T-5 数据手册

与MT58L256L18P1T-5相关器件

与MT58L256L18P1T-5相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MT58L256L18P1T-5

MT58L256L18P1T-5 技术参数

MT58L256L18P1T-5 数据手册

与MT58L256L18P1T-5相关器件

与MT58L256L18P1T-5相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？