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MT58L256L32DF-6

更新时间: 2024-02-19 00:45:19
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
27页 1075K
描述
256KX32 CACHE SRAM, 3.5ns, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165

MT58L256L32DF-6 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:BGA
包装说明:TBGA,针数:165
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.52
最长访问时间:3.5 nsJESD-30 代码:R-PBGA-B165
JESD-609代码:e1长度:15 mm
内存密度:8388608 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:32功能数量:1
端子数量:165字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:256KX32封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TBGA封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN SILVER COPPER端子形式:BALL
端子节距:1 mm端子位置:BOTTOM
宽度:13 mmBase Number Matches:1

MT58L256L32DF-6 数据手册

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