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MT58L256L32DF-6

更新时间: 2024-01-21 20:49:37
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
27页 1075K
描述
256KX32 CACHE SRAM, 3.5ns, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165

MT58L256L32DF-6 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:BGA
包装说明:TBGA,针数:165
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.52
最长访问时间:3.5 nsJESD-30 代码:R-PBGA-B165
JESD-609代码:e1长度:15 mm
内存密度:8388608 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:32功能数量:1
端子数量:165字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:256KX32封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TBGA封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN SILVER COPPER端子形式:BALL
端子节距:1 mm端子位置:BOTTOM
宽度:13 mmBase Number Matches:1

MT58L256L32DF-6 数据手册

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8Mb: 512K x 18, 256K x 32/36  
3.3V I/O, PIPELINED, DCD SYNCBURST SRAM  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
512K x 18  
19  
17  
19  
19  
2
ADDRESS  
REGISTER  
SA0, SA1, SA  
MODE  
SA0-SA1  
Q1  
SA1'  
SA0'  
ADV#  
CLK  
BINARY  
COUNTER AND  
LOGIC  
CLR  
Q0  
ADSC#  
ADSP#  
BYTE b”  
WRITE DRIVER  
BYTE b”  
WRITE REGISTER  
9
9
9
9
OUTPUT  
BUFFERS  
BWb#  
512K x 9 x 2  
MEMORY  
ARRAY  
DQs  
DQPa  
DQPb  
OUTPUT  
REGISTERS  
SENSE  
AMPS  
18  
18  
18  
18  
BYTE a”  
WRITE DRIVER  
E
BYTE a”  
WRITE REGISTER  
BWa#  
BWE#  
INPUT  
REGISTERS  
GW#  
18  
ENABLE  
REGISTER  
CE#  
CE2  
PIPELINED  
ENABLE  
CE2#  
OE#  
2
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
256K x 32/36  
18  
18  
16  
ADDRESS  
REGISTER  
SA0, SA1, SA  
MODE  
SA0-SA1  
Q1  
BINARY  
COUNTER  
SA1'  
SA0'  
ADV#  
CLK  
CLR  
Q0  
ADSC#  
ADSP#  
BYTE d”  
WRITE DRIVER  
BYTE d”  
WRITE REGISTER  
9
9
9
9
BWd#  
BWc#  
256K x 8 x 4  
(x32)  
BYTE c”  
WRITE DRIVER  
DQs  
DQPa  
BYTE c”  
WRITE REGISTER  
OUTPUT  
BUFFERS  
OUTPUT  
REGISTERS  
256K x 9 x 4  
(x36)  
SENSE  
AMPS  
36  
36  
36  
36  
E
BYTE b”  
WRITE DRIVER  
MEMORY  
ARRAY  
DQPd  
BYTE b”  
WRITE REGISTER  
9
9
9
9
BWb#  
BYTE a”  
WRITE DRIVER  
BYTE a”  
WRITE REGISTER  
BWa#  
BWE#  
INPUT  
REGISTERS  
36  
GW#  
CE#  
CE2  
ENABLE  
REGISTER  
PIPELINED  
ENABLE  
CE2#  
OE#  
4
NOTE: Functional block diagrams illustrate simplified device operation. See truth tables, pin descriptions, and timing diagrams  
for detailed information.  
8Mb: 512K x 18, 256K x 32/36 3.3V I/O, Pipelined, DCD SyncBurst SRAM  
MT58L512L18D_D.p65 – Rev. 2/02  
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.  
©2002, Micron Technology, Inc.  
2

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
MT58L256L32DF-6IT CYPRESS Standard SRAM, 256KX32, 3.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165

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MT58L256L32DF-7.5 CYPRESS Cache SRAM, 256KX32, 4ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165

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MT58L256L32DS-10 ROCHESTER 256KX32 CACHE SRAM, 5ns, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100

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MT58L256L32DS-5 CYPRESS Standard SRAM, 256KX32, 3.1ns, CMOS, PQFP100, MS-026, TQFP-100

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MT58L256L32DS-6 ROCHESTER 256KX32 CACHE SRAM, 3.5ns, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100

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MT58L256L32DS-6.6 CYPRESS Standard SRAM, 256KX32, 3.8ns, CMOS, PQFP100, MS-026, TQFP-100

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