Datasheet > MT58L256L18P1T-5

MT58L256L18P1T-5

更新时间： 2024-02-01 09:11:22

品牌	Logo	应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
31页	1131K
描述
256KX18 CACHE SRAM, 2.8ns, PQFP100, PLASTIC, MS-026, TQFP-100

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MT58L256L18P1T-5 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LQFP,	针数：	100
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.44
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	3.1 ns
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	长度：	20 mm
内存密度：	4718592 bit	内存集成电路类型：	CACHE SRAM
内存宽度：	18	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX18	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

MT58L256L18P1T-5 数据手册

4Mb: 256K x 18, 128K x 32/36

PIPELINED, SCD SYNCBURST SRAM

FUNCTIONALBLOCKDIAGRAM

256K x 18

ADDRESS

SA0, SA1, SA

MODE

SA0, SA1

SA1'

ADV#

CLK

BINARY

COUNTER AND

LOGIC

SA0'

CLR

ADSC#

ADSP#

BYTE “b”

WRITE DRIVER

BYTE “b”

WRITE REGISTER

OUTPUT

BUFFERS

BWb#

256K x 9 x 2

MEMORY

ARRAY

DQs

DQPa

DQPb

OUTPUT

REGISTERS

SENSE

AMPS

BYTE “a”

WRITE DRIVER

BYTE “a”

WRITE REGISTER

BWa#

BWE#

INPUT

REGISTERS

GW#

ENABLE

CE#

CE2

PIPELINED

ENABLE

CE2#

OE#

FUNCTIONALBLOCKDIAGRAM

128K x 32/36

ADDRESS

SA0, SA1, SA

MODE

SA0, SA1

SA1'

BINARY

COUNTER

ADV#

CLK

SA0'

CLR

ADSC#

ADSP#

BYTE “d”

WRITE DRIVER

BYTE “d”

WRITE REGISTER

BWd#

BWc#

128K x 8 x 4

(x32)

BYTE “c”

WRITE DRIVER

BYTE “c”

WRITE REGISTER

DQs

DQPa

OUTPUT

BUFFERS

OUTPUT

REGISTERS

128K x 9 x 4

(x36)

SENSE

AMPS

BYTE “b”

WRITE DRIVER

MEMORY

ARRAY

BYTE “b”

WRITE REGISTER

DQPd

BWb#

BYTE “a”

WRITE DRIVER

BYTE “a”

WRITE REGISTER

BWa#

BWE#

INPUT

REGISTERS

GW#

CE#

CE2

ENABLE

PIPELINED

ENABLE

CE2#

OE#

NOTE: Functional block diagrams illustrate simplified device operation. See truth tables, pin descriptions, and timing diagrams

for detailed information.

4Mb:256Kx18, 128Kx32/36Pipelined, SCDSyncBurstSRAM

MT58L256L18P1_F.p65 – Rev. F, Pub. 1/03 EN

MicronTechnology,Inc.,reservestherighttochangeproductsorspecificationswithoutnotice.

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MT58L256L18P1T-6	ROCHESTER	获取价格	256KX18 CACHE SRAM, 3.5ns, PQFP100, PLASTIC, MS-026, TQFP-100
MT58L256L18P1T-6IT	CYPRESS	获取价格	Cache SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100
MT58L256L18P1T-7.5	ROCHESTER	获取价格	256KX18 CACHE SRAM, 4ns, PQFP100, PLASTIC, MS-026, TQFP-100
MT58L256L18P1T-7.5IT	CYPRESS	获取价格	Cache SRAM, 256KX18, 4ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100
MT58L256L32D	MICRON	获取价格	8Mb: 512K x 18, 256K x 32/36 3.3V I/O, PIPELINED, DCD SYNCBURST SRAM
MT58L256L32DB-10IT	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 256KX32, 5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028BHA, BGA-119
MT58L256L32DB-5	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 256KX32, 3.1ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119
MT58L256L32DB-6.6	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 256KX32, 3.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119
MT58L256L32DB-6IT	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 256KX32, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028BHA, BGA-119

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