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MT58L128L36P1F-6

更新时间: 2024-02-14 02:56:26
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
30页 473K
描述
Cache SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165

MT58L128L36P1F-6 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:TBGA,针数:165
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.56
Is Samacsys:N最长访问时间:3.5 ns
其他特性:PIPELINED ARCHITECTUREJESD-30 代码:R-PBGA-B165
长度:15 mm内存密度:4718592 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:36
功能数量:1端子数量:165
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX36
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TBGA
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3.135 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:BALL
端子节距:1 mm端子位置:BOTTOM
宽度:13 mmBase Number Matches:1

MT58L128L36P1F-6 数据手册

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4Mb: 256K x 18, 128K x 32/36  
PIPELINED, SCD SYNCBURST SRAM  
FUNCTIONALBLOCKDIAGRAM  
256K x 18  
18  
16  
18  
18  
2
ADDRESS  
REGISTER  
SA0, SA1, SA  
MODE  
SA0, SA1  
Q1  
SA1'  
ADV#  
CLK  
BINARY  
COUNTER AND  
LOGIC  
SA0'  
CLR  
Q0  
ADSC#  
ADSP#  
BYTE “b”  
WRITE DRIVER  
BYTE “b”  
WRITE REGISTER  
9
9
9
9
OUTPUT  
BUFFERS  
BWb#  
256K x 9 x 2  
MEMORY  
ARRAY  
DQs  
DQPa  
DQPb  
OUTPUT  
REGISTERS  
SENSE  
AMPS  
18  
18  
18  
18  
BYTE “a”  
WRITE DRIVER  
E
BYTE “a”  
WRITE REGISTER  
BWa#  
BWE#  
INPUT  
REGISTERS  
GW#  
18  
ENABLE  
REGISTER  
CE#  
CE2  
PIPELINED  
ENABLE  
CE2#  
OE#  
2
FUNCTIONALBLOCKDIAGRAM  
128K x 32/36  
17  
15  
17  
17  
ADDRESS  
REGISTER  
SA0, SA1, SA  
MODE  
SA0, SA1  
SA1'  
Q1  
BINARY  
COUNTER  
ADV#  
CLK  
SA0'  
CLR  
Q0  
ADSC#  
ADSP#  
BYTE “d”  
WRITE DRIVER  
BYTE “d”  
WRITE REGISTER  
9
9
9
9
BWd#  
BWc#  
128K x 8 x 4  
(x32)  
BYTE “c”  
WRITE DRIVER  
BYTE “c”  
WRITE REGISTER  
DQs  
DQPa  
OUTPUT  
BUFFERS  
OUTPUT  
REGISTERS  
128K x 9 x 4  
(x36)  
SENSE  
AMPS  
36  
36  
36  
36  
E
BYTE “b”  
WRITE DRIVER  
MEMORY  
ARRAY  
BYTE “b”  
WRITE REGISTER  
9
9
9
9
DQPd  
BWb#  
BYTE “a”  
WRITE DRIVER  
BYTE “a”  
WRITE REGISTER  
BWa#  
BWE#  
INPUT  
REGISTERS  
36  
GW#  
CE#  
CE2  
ENABLE  
REGISTER  
PIPELINED  
ENABLE  
CE2#  
OE#  
4
NOTE: Functional block diagrams illustrate simplified device operation. See truth tables, pin descriptions, and timing diagrams  
for detailed information.  
4Mb:256Kx18, 128Kx32/36Pipelined, SCDSyncBurstSRAM  
MT58L256L18P1_F.p65 – Rev. F, Pub. 1/03 EN  
MicronTechnology,Inc.,reservestherighttochangeproductsorspecificationswithoutnotice.  
©2003,MicronTechnology,Inc.  
2

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