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MT4LC1M16C3DJ-6S PDF预览

MT4LC1M16C3DJ-6S

更新时间： 2024-01-21 08:10:12
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
22页 465K
描述
FPM DRAM

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MT4LC1M16C3DJ-6S 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOJ
包装说明：SOJ,针数：42
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.42
访问模式：FAST PAGE最长访问时间：60 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHJESD-30 代码：R-PDSO-J42
长度：27.33 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM内存宽度：16
功能数量：1端口数量：1
端子数量：42字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：1MX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified刷新周期：1024
座面最大高度：3.76 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
宽度：10.21 mmBase Number Matches：1

MT4LC1M16C3DJ-6S 数据手册

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1 MEG x 16  
FPM DRAM  
MT4C1M16C3, MT4LC1M16C3  
FPM DRAM  
For the latest data sheet revisions, please refer to the Micron  
Website:www.micron.com/datasheets  
FEATURES  
• JEDEC- and industry-standard x16 timing,  
functions, pinouts, and packages  
• High-performance, low-power CMOS silicon-gate  
process  
PINASSIGNMENT(TopView)  
42-PinSOJ  
44/50-PinTSOP  
• Single power supply (+3.3V ±±.3V or ꢀV ±±.ꢀV5  
• All inputs, outputs and clocks are TTL-compatible  
• Refresh modes: RAS#-ONLY, CAS#-BEFORE-RAS#  
(CBR5 and HIDDEN  
• Optional self refresh (S5 for low-power data  
retention  
• BYTE WRITE and BYTE READ access cycles  
• 1,±24-cycle refresh (1± row, 1± column addresses5  
• FAST-PAGE-MODE (FPM5 access  
V
CC  
1
2
3
4
5
6
7
8
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
VSS  
V
CC  
1
2
3
4
5
6
7
8
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
VSS  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ15  
DQ14  
DQ13  
DQ12  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ15  
DQ14  
DQ13  
DQ12  
V
CC  
VSS  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
NC  
DQ11  
DQ10  
DQ9  
DQ8  
NC  
V
CC  
V
SS  
9
10  
11  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
NC  
DQ11  
DQ10  
DQ9  
DQ8  
NC  
CASL#  
CASH#  
OE#  
A9  
A8  
A7  
A6  
A5  
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
NC  
NC  
WE#  
RAS#  
NC  
NC  
A0  
A1  
A2  
A3  
V
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
NC  
CASL#  
CASH#  
OE#  
A9  
A8  
A7  
A6  
A5  
A4  
VSS  
NC  
WE#  
RAS#  
NC  
NC  
A0  
A1  
A2  
A3  
V
OPTIONS  
• Voltage1  
3.3V  
MARKING  
LC  
C
CC  
ꢀV  
A4  
VSS  
CC  
• Packages  
Plastic SOJ (4±± mil5  
Plastic TSOP (4±± mil5  
DJ  
TG  
NOTE: The # symbol indicates signal is active LOW.  
• Timing  
1 MEG x 16 FPM DRAM PART NUMBERS  
ꢀ±ns access  
6±ns access  
-ꢀ  
-6  
PART NUMBER  
SUPPLY PACKAGE REFRESH  
• Refresh Rates  
MT4LC1M16C3DJ-6  
MT4LC1M16C3DJ-6 S  
MT4LC1M16C3TG-6  
MT4LC1M16C3TG-6 S  
MT4C1M16C3DJ-6  
MT4C1M16C3TG-6  
3.3V  
3.3V  
3.3V  
3.3V  
5V  
SOJ  
SOJ  
TSOP  
TSOP  
SOJ  
Standard  
Self  
Standard  
Self  
Standard  
Standard  
Standard Refresh (16ms period5  
Self Refresh (128ms period5  
None  
S2  
• OperatingTemperatureRange  
Commercial (0oC to +70oC)  
Extended (-20oC to +80oC)  
None  
ET3  
5V  
TSOP  
Part Number Example:  
MT4LC1M16C3DJ-5  
GENERALDESCRIPTION  
The 1 Meg x 16 DRAM is a randomly accessed, solid-  
state memory containing 16,777,216 bits organized in  
a x16 configuration. The 1 Meg x 16 DRAM has both  
BYTE WRITE and WORD WRITE access cycles via two  
CAS# pins (CASL# and CASH#5. These function identi-  
cally to a single CAS# on other DRAMs in that either  
CASL# or CASH# will generate an internal CAS#.  
The CAS# function and timing are determined by  
the first CAS# (CASL# or CASH#5 to transition LOW and  
NOTE: 1. The third field distinguishes the low voltage offering:  
LC designates VCC = 3.3V and C designates VCC = 5V.  
2. Contact factory for availability.  
3. Available only on MT4C1M16C3 (5V)  
KEYTIMINGPARAMETERS  
t
t
t
t
t
t
SPEED  
-5  
-6  
RC  
RAC  
PC  
AA  
CAC  
RP  
84ns  
110ns  
50ns  
60ns  
20ns  
35ns  
25ns  
30ns  
15ns  
15ns  
30ns  
40ns  
1 Meg x 16 FPM DRAM  
D51_5V_B.p65 – Rev. B; Pub 3/01  
MicronTechnology,Inc.,reservestherighttochangeproductsorspecificationswithoutnotice.  
©2001,MicronTechnology,Inc.  
1
1234567...22

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MT4LC1M16C3TG-6 MICRON

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 		FPM DRAM
MT4LC1M16C3TG-6S MICRON

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