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MT4LC4M4B1DJ-6

更新时间： 2024-09-29 22:09:39
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
20页 360K
描述
DRAM

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MT4LC4M4B1DJ-6 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24
针数：24Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.85Is Samacsys：N
访问模式：FAST PAGE最长访问时间：60 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-J24JESD-609代码：e0
长度：17.17 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM内存宽度：4
功能数量：1端口数量：1
端子数量：24字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：4MX4输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装等效代码：SOJ24/26,.34封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：235
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：2048座面最大高度：3.61 mm
自我刷新：NO最大待机电流：0.0005 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：7.67 mm
Base Number Matches：1

MT4LC4M4B1DJ-6 数据手册

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4 MEG x 4  
FPM DRAM  
MT4LC4M4B1, MT4C4M4B1  
MT4LC4M4A1, MT4C4M4A1  
For the latest data sheet, please refer to the Micron Web  
site: www.micronsemi.com/mti/msp/html/datasheet.html  
DRAM  
FEATURES  
• In dustry-stan dard x4 pin out, tim in g, fun ction s,  
an d packages  
PIN ASSIGNMENT (To p Vie w )  
• High -perform an ce, low-power CMOS silicon -gate  
process  
• Sin gle power supply (+3.3V ±0.3V or +5V ±0.5V)  
• All in puts, outputs an d clocks are TTL-com patible  
• Refresh m odes: RAS#-ONLY, HIDDEN an d CAS#-  
BEFORE-RAS# (CBR)  
• Option al self refresh (S) for low-power data  
reten tion  
• 11 row, 11 colum n addresses (2K refresh ) or  
12 row, 10 colum n addresses (4K refresh )  
• FAST-PAGE-MODE (FPM) access  
• 5V toleran t in puts an d I/Os on 3.3V devices  
24/26-Pin SOJ  
24/26-Pin TSOP  
V
DQ0  
DQ1  
WE#  
RAS#  
CC  
1
2
3
4
5
6
26  
25  
24  
23  
22  
21  
VSS  
V
DQ0  
DQ1  
WE#  
RAS#  
CC  
1
2
3
4
5
6
26  
25  
24  
23  
22  
21  
VSS  
DQ3  
DQ2  
CAS#  
OE#  
A9  
DQ3  
DQ2  
CAS#  
OE#  
A9  
**NC/A11  
**NC/A11  
A10  
A0  
A1  
A2  
A3  
8
9
10  
11  
12  
13  
19  
18  
17  
16  
15  
14  
A8  
A7  
A6  
A5  
A4  
A10  
A0  
A1  
A2  
A3  
8
9
10  
11  
12  
13  
19  
18  
17  
16  
15  
14  
A8  
A7  
A6  
A5  
A4  
V
CC  
VSS  
V
CC  
VSS  
OPTIONS  
• Voltage  
MARKING  
3.3V  
5V  
LC  
C
**NC on 2K refresh and A11 on 4K refresh options.  
• Refresh Addressin g  
2,048 (2K) rows  
4,096 (4K) rows  
• Packages  
B1  
A1  
4 MEG x 4 FPM DRAM PART NUMBERS  
Plastic SOJ (300 m il)  
Plastic TSOP (300 m il)  
• Tim in g  
50n s access  
60n s access  
• Refresh Rates  
Stan dard Refresh  
Self Refresh (128m s period)  
D J  
TG  
REFRESH  
PARTNUMBER  
VCC ADDRESSING PACKAGE REFRESH  
MT4LC4M4B1DJ-6  
3.3V  
2K  
2K  
2K  
2K  
4K  
4K  
4K  
4K  
2K  
2K  
2K  
2K  
4K  
4K  
4K  
4K  
SOJ  
SOJ  
Standard  
Self  
-5  
-6  
MT4LC4M4B1DJ-6 S 3.3V  
MT4LC4M4B1TG-6 3.3V  
MT4LC4M4B1TG-6 S 3.3V  
MT4LC4M4A1DJ-6 3.3V  
MT4LC4M4A1DJ-6 S 3.3V  
MT4LC4M4A1TG-6 3.3V  
MT4C4M4A1TG-6S 3.3V  
TSOP  
TSOP  
SOJ  
Standard  
Self  
Non e  
S*  
Standard  
Self  
SOJ  
NOTE: 1. Th e 4 Meg x 4 FPM DRAM base n um ber differen ti-  
ates th e offerin gs in on e place—MT4LC4M4B1. Th e  
fifth field distin guish es various option s: B1  
design ates a 2K refresh an d A1 design ates a 4K  
refresh for FPM DRAMs.  
TSOP  
TSOP  
SOJ  
Standard  
Self  
MT4C4M4B1DJ-6  
MT4C4M4B1DJ-6 S  
MT4C4M4B1TG-6  
5V  
5V  
5V  
Standard  
Self  
SOJ  
2. Th e # sym bol in dicates sign al is active LOW.  
TSOP  
TSOP  
SOJ  
Standard  
Self  
*Con tact factory for availability  
MT4C4M4B1TG-6S 5V  
MT4C4M4A1DJ-6 5V  
MT4C4M4A1DJ-6 S 5V  
MT4C4M4A1TG-6 5V  
MT4C4M4A1TG-6S 5V  
Standard  
Self  
Part Number Example:  
SOJ  
MT4LC4M4B1DJ  
TSOP  
TSOP  
Standard  
Self  
KEY TIMING PARAMETERS  
t
t
t
t
t
t
SPEED  
-5  
RC  
RAC  
PC  
AA  
CAC  
RP  
84ns  
50ns  
60ns  
20ns  
35ns  
25ns  
30ns  
13ns  
15ns  
30ns  
40ns  
-6  
110ns  
4 Meg x 4 FPM DRAM  
D49_5V.p65 – Rev. 5/00  
Micron Technology, Inc., reservesthe right to change productsor specificationswithout notice.  
©2000, Micron Technology, Inc.  
1
1234567...20

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