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MT28F128J3FS-15ET

更新时间： 2024-11-07 04:14:23

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镁光 - MICRON		闪存内存集成电路
页数	文件大小	规格书
52页	540K
描述
Q-FLASHTM MEMORY

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MT28F128J3FS-15ET 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	10 X 13 MM, 1 MM PITCH, FBGA-64
针数：	64	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.78	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	150 ns	备用内存宽度：	8
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PBGA-B64
JESD-609代码：	e0	长度：	13 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	128	端子数量：	64
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	8MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TBGA
封装等效代码：	BGA64,8X8,40	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE	页面大小：	4/8 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	235
电源：	3/3.3 V	编程电压：	2.7 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	128K
最大待机电流：	0.00012 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.08 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
切换位：	NO	类型：	NOR TYPE
宽度：	10 mm	Base Number Matches：	1

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128Mb, 64Mb, 32Mb

Q-FLASH MEMORY

‡

MT28F128J3 , MT28F640J3,

Q-FLASH MEMORY

‡

MT28F320J3

FEATURES

56-Pin TSOP Type I

• x8/x16 organization

• One hundred twenty-eight 128KB erase blocks

(128Mb)

Sixty-four 128KB erase blocks (64Mb)

Thirty-two 128KB erase blocks (32Mb)

• V^CC, VCCQ, and VPEN voltages:

2.7V to 3.6V V^CCoperation

2.7V to 3.6V or 4.5V to 5.5V* VCCQ operation

2.7V to 3.6V, or 5V V^PENapplication programming

• Interface Asynchronous Page Mode Reads:

150ns/25ns read access time (128Mb)

120ns/25ns read access time (64Mb)

110ns/25ns read access time (32Mb)

• Enhanced data protection feature with V^PEN= VSS

Flexible sector locking

Sector erase/program lockout during power

transition

• Security OTP block feature

64-BallFBGA

Permanent block locking (Contact factory for

availability)

• Industry-standard pinout

• Inputs and outputs are fully TTL-compatible

• Common Flash Interface (CFI) and Scalable

Command Set

• Automatic write and erase algorithm

• 4.7µs-per-byte effective programming time using

write buffer

• 128-bit protection register

64-bit unique device identifier

64-bit user-programmable OTP cells

• 100,000 ERASE cycles per block

• Automatic suspend options:

Block Erase Suspend-to-Read

Block Erase Suspend-to-Program

Program Suspend-to-Read

‡

NOTE: MT28F128J3, and MT28F320J3 are preliminary status.

• VCCQ Option*

MT28F640J3isproductionstatus.

2.7V–3.6V

None

4.5V–5.5V

• Packages

OPTIONS

MARKING

• Timing

56-pin TSOP Type I

64-ball FBGA (1.0mm pitch)

150ns (128Mb)

120ns (64Mb)

110ns (32Mb)

-15

-12

-11

Part Number Example:

MT28F640J3RG-12ET

• Operating Temperature Range

Commercial Temperature (0ºC to +85ºC)

Extended Temperature (-40ºC to +85ºC)

*Contact factory for availability of the MT28F320J3 and

MT28F640J3.

None

128Mb, 64Mb, 32MbQ-FlashMemory

MT28F640J3_7.p65 – Rev. 6, Pub. 8/02

‡

PRODUCTS AND SPECIFICATIONS DISCUSSED HEREIN ARE FOR EVALUATION AND REFERENCE PURPOSES ONLY AND ARE

SUBJECT TO CHANGE BY MICRON WITHOUT NOTICE. PRODUCTS ARE ONLY WARRANTED BY MICRON TO MEET MICRON’S

PRODUCTIONDATASHEETSPECIFICATIONS.

12 3 4 5 6 7...52

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