Datasheet > MT16VDDF12864HY-335

MT16VDDF12864HY-335

更新时间： 2024-11-06 03:01:47

品牌	Logo	应用领域
镁光 - MICRON		内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率时钟
页数	文件大小	规格书
31页	552K
描述
SMALL-OUTLINE DDR SDRAM DIMM

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MT16VDDF12864HY-335 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	DIMM, DIMM200,24
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.82
最长访问时间：	0.7 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	167 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDMA-N200
内存密度：	8589934592 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE
内存宽度：	64	端子数量：	200
字数：	134217728 words	字数代码：	128000000
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM200,24	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	最大待机电流：	0.08 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	4.64 mA
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.6 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

MT16VDDF12864HY-335 数据手册

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512MB, 1GB (x64)

200-PIN DDR SODIMM

MT16VDDF6464H – 512MB

MT16VDDF12864H – 1GB

SMALL-OUTLINE

ꢀ

DDR SDRAM DIMM

For the latest data sheet, please refer to the Micron Web

site: www.micron.com/moduleds

Features

Figure 1: 200-Pin SODIMM (MO-224)

•

200-pin, small-outline, dual in-line memory

module (SODIMM)

512MB Module

•

Fast data transfer rates: PC1600, PC2100, and PC2700

Utilizes 200 MT/s, 266 MT/s, or 333 MT/s DDR

SDRAM components

•

512MB (64 Meg x 64), 1GB (128 Meg x 64)

VDD = VDDQ = +2.5V

VDDSPD = +2.3V to +3.6V

2.5V I/O (SSTL_2 compatible)

Commands entered on each positive CK edge

DQS edge-aligned with data for READs; center-

aligned with data for WRITEs

1GB Module

•

Internal, pipelined double data rate (DDR)

architecture; two data accesses per clock cycle

Bidirectional data strobe (DQS) transmitted/

received with data—i.e., source-synchronous data

capture

•

Differential clock inputs CK and CK#

Four internal device banks for concurrent operation

Programmable burst lengths: 2, 4, or 8

Auto precharge option

Auto Refresh and Self Refresh Modes

7.8125µs maximum average periodic refresh interval

Serial Presence Detect (SPD) with EEPROM

Programmable READ CAS latency

Gold edge contacts

OPTIONS

MARKING

•

Package

200-pin SODIMM (standard)

200-pin SODIMM (lead-free)¹

•

Frequency/CAS Latency²

167 MHz (333 MT/s) CL = 2.5

133 MHz (266 MT/s) CL = 2

133 MHz (266 MT/s) CL = 2.5

100 MHz (200 MT/s) CL = 2

-335

-262

-26A

-265

-202

NOTE: 1. Contact factory for availability of lead-free prod-

ucts.

2. CL = CAS (READ) latency.

Table 1:

Address Table

512MB

1GB

Refresh Count

8K (A0–A12)

4 (BA0, BA1)

32 Meg x 8

1K (A0–A9)

2 (S0#, S1#)

8K (A0–A12)

4 (BA0, BA1)

64 Meg x 8

Device Row Addressing

Device Bank Addressing

Device Configuration

2K (A0–A9, A11)

2 (S0#, S1#)

Device Column Addressing

Module Rank Addressing

09005aef80a646bc

DDF16C64_128x64HG_B.fm - Rev. B 7/03 EN

PRODUCTS AND SPECIFICATIONS DISCUSSED HEREIN ARE SUBJECT TO CHANGE BY MICRON WITHOUT NOTICE.

12 3 4 5 6 7...31

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