Datasheet > MT16VDDT12864AY-265

MT16VDDT12864AY-265

更新时间： 2024-09-17 00:36:43

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镁光 - MICRON		时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
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DDR SDRAM UNBUFFERED DIMM

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MT16VDDT12864AY-265 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	DIMM, DIMM184	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	最长访问时间：	0.75 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDMA-N184	内存密度：	8589934592 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE	内存宽度：	64
端子数量：	184	字数：	134217728 words
字数代码：	128000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128MX64
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM184
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	最大待机电流：	0.08 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	4.48 mA
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

MT16VDDT12864AY-265 数据手册

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256MB, 512MB, 1GB, 2GB (x64, DR)

184-PIN DDR SDRAM UDIMM

MT16VDDT3264A – 256MB

MT16VDDT6464A – 512MB

DDR SDRAM

UNBUFFERED DIMM

MT16VDDT12864A – 1GB

‡

MT16VDDT25664A – 2GB (ADVANCE)

For the latest data sheet, please refer to the Micron^Web

site: www.micron.com/products/modules

Fe a t u re s

Fig u re 1: 184-Pin DIMM (MO-206)

• 184-pin, dual in-line memory module (DIMM)

• Fast data transfer rates: PC2100 or PC2700

• Utilizes 266 MT/ s and 333 MT/ s DDR SDRAM

components

Standard 1.25in. (31.75mm)

• 256MB (32 Meg x 64), 512MB (64 Meg x 64), 1GB

(128 Meg x 64), and 2GB (256 Meg x 64)

• VDD = VDDQ = +2.5V

Low-Profile 1.15in. (29.21mm)

• VDDSPD = +2.3V to +3.6V

• 2.5V I/ O (SSTL_2 compatible)

• Com m ands entered on each positive CK edge

• DQS edge-aligned with data for READs; center-

aligned with data for WRITEs

• Internal, pipelined double data rate (DDR)

architecture; two data accesses per clock cycle

• Bidirectional data strobe (DQS) transmitted/

received with data—i.e., source-synchronous data

capture

OPTIONS

MARKING

• Package

184-pin DIMM (standard)

• Differential clock inputs (CK and CK#)

• Four internal device banks for concurrent operation

• Program m able burst lengths: 2, 4, or 8

• Auto precharge option

• Auto Refresh and Self Refresh Modes

• 15.6µs (256MB), 7.8125µs (512MB, 1GB, and 2GB)

m axim um average periodic refresh interval

• Serial Presence Detect (SPD) with EEPROM

• Programmable READ CAS latency

• Gold edge contacts

184-pin DIMM (lead-free)¹

• Memory Clock, Speed, CAS Latency²

-335

-262

-26A

-265

6ns/ 166MHz (333 MT/ s)

CL = 2.5

7.5ns/ 133 MHz (266 MT/ s) CL = 2

7.5ns/ 133 MHz (266 MT/ s) CL = 2.5

• PCB

See page 2 note

Standard 1.25in. (31.75mm)

Low-Profile 1.20in. (30.48mm)

NOTE: 1. Consult Micron for product availability.

2. CL = CAS (READ) Latency.

Ta b le 1:

Ad d re ss Ta b le

256MB

512MB

1GB

2GB

Refresh Count

4K (A0–A11)

4 (BA0, BA1)

8K (A0–A12)

4 (BA0, BA1)

8K (A0–A12)

4 (BA0, BA1)

16K (A0–A13)

4 (BA0, BA1)

1Gb (128 Meg x 8)

2K (A0–A9, A11)

2 (S0#, S1#)

Row Addressing

Device Bank Addressing

Device Configuration

Column Addressing

Module Rank Addressing

128Mb (16 Meg x 8) 256Mb (32 Meg x 8) 512Mb (64 Meg x 8)

1K (A0–A9)

2 (S0#, S1#)

1K (A0–A9)

2 (S0#, S1#)

2K (A0–A9, A11)

2 (S0#, S1#)

pdf: 09005aef80739fa5, source: 09005aef807397e5

DD16C32_64_128_256x64AG.fm - Rev. C 9/04 EN

^‡PRODUCTS AND SPECIFICATIONS DISCUSSED HEREIN ARE FOR EVALUATION AND REFERENCE PURPOSES ONLY AND ARE SUBJECT TO CHANGE BY

MICRON WITHOUT NOTICE. PRODUCTS ARE ONLY WARRANTED BY MICRON TO MEET MICRON’S PRODUCTION DATA SHEET SPECIFICATIONS.

12 3 4 5 6 7...35

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