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MT16LSDT6464AGI-133

更新时间： 2024-11-05 22:32:47

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镁光 - MICRON		动态存储器
页数	文件大小	规格书
24页	609K
描述
SYNCHRONOUS DRAM MODULE

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MT16LSDT6464AGI-133 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	DIMM, DIMM168	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.83	最长访问时间：	5.4 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDMA-N168	内存密度：	4294967296 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	内存宽度：	64
端子数量：	168	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64MX64
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM168
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	最大待机电流：	0.032 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	4.32 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

MT16LSDT6464AGI-133 数据手册

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256MB / 512MB (x64)

168-PIN SDRAM DIMMs

MT8LSDT3264A(I) - 256MB

MT16LSDT6464A(I) - 512MB

For the latest data sheet, please refer to the Micron Web

site: www.micron.com/moduleds

SYNCHRONOUS

DRAM MODULE

Fe a t u re s

Fig u re 1: 168-Pin DIMM (MO–161)

• PC100- and PC133-compliant

• JEDEC-standard 168-pin, dual in-line memory

module (DIMM)

Standard

• Unbuffered

• 256MB (32 Meg x 64), 512MB (64 Meg x 64)

• Single +3.3V ±0.3V power supply

• Fully synchronous; all signals registered on positive

edge of system clock

• Internal pipelined operation; colum n address can

be changed every clock cycle

Low Profile

•

Internal SDRAM banks for hiding row access/ precharge

• Program m able burst lengths: 1, 2, 4, 8, or full page

• Auto Precharge, including Concurrent Auto

Precharge, and Auto Refresh Modes

• 64ms, 8,192 cycle Auto Refresh cycle

• Self Refresh Mode

• LVTTL-com patible inputs and outputs

• Serial Presence-Detect (SPD)

Ta b le 2:

Tim in g p a ra m e t e rs

OPTIONS

• Package

MARKING

PC100

CL - RCD - RP

PC133

MODULE

MARKINGS

CL - RCD - RP

Unbuffered

-13E

-133

-10E

2 - 2 - 2

3 - 3 - 3

168-pin DIMM (gold)

• Operating Tem perature Range

Commercial (0°C to +70°C)

Industrial (-40°C to +85°C)¹

• Memory Clock/ CAS Latency

(133 MHz)/ CL = 2

None

-13E

-133

-10E

Ta b le 3:

Pa rt Nu m b e rs

(133 MHz)/ CL = 3

(100 MHz)/ CL = 2

SYSTEM

PARTNUMBER¹

CONFIGURATION BUS SPEED

NOTE:

MT8LSDT3264AG-13E_

MT8LSDT3264AG(I)-133_

MT8LSDT3264AG-10E_

MT16LSDT6464AG-13E_

MT16LSDT6464AG(I)-133_

MT16LSDT6464AG-10E_

NOTE:

32 Meg x 64

64 Meg x 64

133 MHz

100 MHz

133 MHz

100 MHz

1. Consult Micron for availability; Industrial Tempera-

ture Option available in -133 speed only.

Ta b le 1:

Ad d re ss Ta b le

256MB

MODULE

512MB

MODULE

Refresh Count

Device Banks

Device Configuration

Row Addressing

Column Addressing

Module Banks

4 (BA0, BA1)

32 Meg x 8

8K (A0–A12)

1K (A0–A9)

2 (S0,S2; S1,S3)

1. The designators for component and PCB revision

are the last two characters of each part number.

Consult factory for current revision codes. Example:

MT8LSDT3264AG-133B1.

32 Meg x 8

8K (A0–A12)

1K (A0–A9)

1 (S0,S2)

32,64 Meg x 64 SDRAM DIMMs

SD8_16C32_64x64AG_C.fm - Rev. C 11/02

Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.

12 3 4 5 6 7...24

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