是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DO-201AD |
包装说明: | O-PALF-W2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.76 |
应用: | GENERAL PURPOSE | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 0.62 V |
JEDEC-95代码: | DO-201AD | JESD-30 代码: | O-PALF-W2 |
最大非重复峰值正向电流: | 400 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
最大输出电流: | 8 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 30 V | 最大反向电流: | 250 µA |
表面贴装: | NO | 技术: | SCHOTTKY |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MS830-B | MCC |
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Rectifier Diode, | |
MS830-T | MCC |
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Rectifier Diode, | |
MS830-TP | MCC |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 30V V(RRM), Silicon, DO-201AD, DO-201AD | |
MS835 | MICROSEMI |
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8 Amp Schottky Rectifier | |
MS835 | MCC |
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8 Amp Schottky Barrier Rectifier 20 to 100 Volts | |
MS835 | LUNSURE |
获取价格 |
8Amp schottky barrier rectifier 20to100 volts | |
MS8350-P2819 | MICROSEMI |
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GaAs Schottky Diodes TM Low RS Series Pair | |
MS8351-P2819 | MICROSEMI |
获取价格 |
GaAs Schottky Diodes Low CT TM Series Pair | |
MS835-B | MCC |
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Rectifier Diode, | |
MS835-TP | MCC |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 35V V(RRM), Silicon, DO-201AD, DO-201AD |