MS838C04

更新时间： 2024-11-04 10:46:19

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富士电机 - FUJI		整流二极管肖特基二极管光电二极管
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Schottky Barrier Diode

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MS838C04 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	TFP-4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
其他特性：	HIGH RELIABILITY	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	CATHODE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F4	最大非重复峰值正向电流：	180 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大重复峰值反向电压：	40 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

MS838C04 数据手册

http://www.fujisemi.com

FUJI Diode

MS838C04 (40V/30A)

Schottky Barrier Diode

Connection diagram

Features

Outline Drawings [mm]

• Low V

TFP

• Super high speed switching

• High reliability by planer design

838C04

Applications

• High speed power switching

Maximum Ratings and Characteristics

Maximum ratings (at Ta=25˚C Unless otherwise speciﬁed)

Item

Repetitive peak reverse voltage

Symbols

Conditions

Ratings

Units

VRRM

Square wave duty =1/2

Tc =111˚C

Average output current

30 *

Non-repetitive surge current **

Operating junction temperature

Storage temperature

FSM

Sine wave, 10ms 1shot

180

150

˚C

stg

-40 to +150

*Out put current of center tap full wave connection.

**Rating per element

Electrical characteristics (at Ta=25˚C Unless otherwise speciﬁed)

Item

Symbols

Conditions

Maximum

Units

Forward voltage***

Reverse current***

Thermal resistance

***Rating per element

= 12.5 A

0.53

=VRRM

Rth(j-c)

Junction to case

1.2

˚C/W

Mechanical characteristics

Item

Conditions

Ratings

Units

Approximate mass

0.8

12 3 4 5

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