MS8351-P2819

更新时间： 2024-11-04 05:50:23

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美高森美 - MICROSEMI		肖特基二极管微波混频二极管
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描述
GaAs Schottky Diodes Low CT TM Series Pair

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MS8351-P2819 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-CTMW-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.60	风险等级：	5.79
配置：	SINGLE	最大二极管电容：	0.06 pF
二极管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	二极管类型：	MIXER DIODE
频带：	MILLIMETER WAVE BAND	JESD-30 代码：	R-CTMW-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROWAVE
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Microwave Mixer Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	FLAT	端子位置：	TRIPLE
Base Number Matches：	1

MS8351-P2819 数据手册

GaAs Schottky Diodes

Low C_TSeries Pair

MS8351 – P2819

Flip Chip GaAs Schottky:

Series Pair – Low Capacitance Design

Dimensions

Size: 28 x 19 mils

Thickness: 5 mils

Bond Pad Size: 5 x 5 mils

Features

●

Capacitance (45 fF Typ.)

●

Low Series Resistance (7  Typ.)

●

Cut-Off Frequency > 500 GHz

●

Large Gold Bond Pads

Description

The MS8351 is a GaAs flip chip series pair Schottky

device designed for use as balanced mixer elements at

microwave and millimeter wave frequencies. Their

high cut-off frequency insures good performance at

frequencies to 100 GHz. Applications include:

transceivers, digital radios and automotive radar

detectors.

Specifications

(Per Junction)

@ 25°C

●

V_F(1 mA): 600–800 mV

V_F(1 mA): 10 mV Max.

R_S(10 mA): 9  Max.

I_R(3 V): 10 A Max.

C_T(0 V): 60 fF Max.

●

These flip chip devices incorporate Microsemi’s

expertise in GaAs material processing, silicon nitride

protective coatings and high temperature metallization.

They have large, 5 x 5 mil, bond pads for ease of

insertion. The MS8351 is priced for high volume

commercial and industrial applications.

Maximum Ratings

Insertion

emperature

250°C for 10 Seconds

+20 dBm 25°C

25°C

Incident Power

Forward Current

15 mA

3 V

Reverse

Operating

Storage emperature

oltage

Temperature

-55°C to +125°C

-65°C to +150°C

Microsemi

Rev: 2009-05-11

Microwave Products

75 Technology Drive, Lowell, MA. 01851, 978-442-5600, Fax: 978-937-3748

Page 1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MS835-B	MCC	获取价格	Rectifier Diode,
MS835-TP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 35V V(RRM), Silicon, DO-201AD, DO-201AD
MS838C04	FUJI	获取价格	Schottky Barrier Diode
MS83C151C-12	TEMIC	获取价格	CMOS 0 to 36 MHz Single Chip 8-bit Microcontroller
MS83C151C-16	TEMIC	获取价格	CMOS 0 to 36 MHz Single Chip 8-bit Microcontroller
MS83C151C-20	TEMIC	获取价格	CMOS 0 to 36 MHz Single Chip 8-bit Microcontroller
MS83C151C-25	TEMIC	获取价格	CMOS 0 to 36 MHz Single Chip 8-bit Microcontroller
MS83C151C-30	TEMIC	获取价格	CMOS 0 to 36 MHz Single Chip 8-bit Microcontroller
MS83C151C-36	TEMIC	获取价格	CMOS 0 to 36 MHz Single Chip 8-bit Microcontroller
MS83C151C-L16	TEMIC	获取价格	CMOS 0 to 36 MHz Single Chip 8-bit Microcontroller

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