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MS1584

更新时间： 2024-02-01 06:29:12

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美高森美 - MICROSEMI		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	134K
描述
RF Power Bipolar Transistor, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, M173, 4 PIN

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MS1584 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PDFM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.13	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	EMITTER	最大集电极电流 (IC)：	8 A
基于收集器的最大容量：	85 pF	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDFM-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MS1584 数据手册

MS1584

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

UHF TV/LINEAR APPLICATIONS

Features

•

470 - 860 MHz

28 VOLTS

_OUT= 50 WATTS

G_P= 6.5 dB MINIMUM

INTERNAL INPUT MATCHING

CLASS A LINEAR OPERATION

COMMON EMITTER CONFIGURATION

DESCRIPTION:

The MS1584 is a silicon NPN bipolar transistor specifically

designed for high linearity applications such as UHF and

TV Bands IV transmitters.

Gold metallization and emitter ballasting assure high reliability

under Class AB linear amplifier operation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

V_CBO

Parameter

Value

Unit

Collector - Base Voltage

V_CEO

V_EBO

I_C

P_DISS

T_J

T_STG

Collector - Emitter Voltage

Emitter - Base Voltage

Device Currnet

3.0

175

+200

°C

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

-65 to +150

1.0

Thermal Data

R_TH(J-C)

°C/W

Junction-case Thermal Resistance

053-7104 Rev - 11-2002

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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