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MS1586

更新时间： 2024-01-16 01:14:29

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	95K
描述
RF Power Bipolar Transistor, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, M173, 4 PIN

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MS1586 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PDFM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.13	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	EMITTER	最大集电极电流 (IC)：	16 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDFM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MS1586 数据手册

MS1586

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

TV LINEAR APPLICATIONS

Features

•

470 - 860 MHz

28 VOLTS

CLASS AB PUSH PULL

INPUT/OUTPUT MATCHING

P_OUT= 100 WATTS

G_P=8.5 dB MINIMUM

COMMON EMITTER CONFIGURATION

DESCRIPTION:

The MS1586 is a gold metallized NPN planar transistor

designed for high linearity Class AB operation in UHF and

Band IV, V television transmitters and transposers. The

MS1586 utilizes an emitter ballasted die geometry for

superior ruggedness and reliability.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

_CBO

Parameter

Value

Unit

Collector-Base Voltage

V_CEO

V_EBO

I_C

P_DISS

T_J

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Device Current

3.5

220

+200

°C

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

T_STG

-65 to +150

Thermal Data

R_TH(J-C)

Thermal Resistance Junction-case

0.8

°C/W

053-7105 Rev - 11-2002

12 3

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