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MRFE6VP6300HSR3

更新时间： 2024-01-19 13:33:07
品牌 Logo 应用领域
飞思卡尔 - FREESCALE 晶体晶体管功率场效应晶体管射频放大器
页数 文件大小 规格书
15页 992K
描述
RF Power Field Effect Transistors

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MRFE6VP6300HSR3 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：ROHS COMPLIANT, NI-780S-4, CASE 465H-02, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.64Is Samacsys：N
外壳连接：SOURCE配置：COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压：130 VFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-CDFP-F4
湿度敏感等级：NOT APPLICABLE元件数量：2
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：YES端子面层：NOT SPECIFIED
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRFE6VP6300HSR3 数据手册

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Document Number: MRFE6VP6300H  
Rev. 1, 7/2011  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
RF Power Field Effect Transistors  
High Ruggedness N--Channel  
MRFE6VP6300HR3  
MRFE6VP6300HSR3  
Enhancement--Mode Lateral MOSFETs  
These high ruggedness devices are designed for use in high VSWR industrial  
(including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace  
and radio/land mobile applications. They are unmatched input and output  
designs allowing wide frequency range utilization, between 1.8 and 600 MHz.  
1.8--600 MHz, 300 W, 50 V  
LATERAL N--CHANNEL  
BROADBAND  
•
Typical Performance: VDD = 50 Volts, IDQ = 100 mA  
P
(W)  
f
G
(dB)  
η
(%)  
IRL  
(dB)  
out  
ps  
D
Signal Type  
(MHz)  
RF POWER MOSFETs  
Pulsed (100 μsec,  
300 Peak  
230  
26.5  
74.0  
-- 1 6  
20% Duty Cycle)  
CW  
300 Avg.  
130  
25.0  
80.0  
-- 1 5  
•
•
Capable of Handling a Load Mismatch of 65:1 VSWR, @ 50 Vdc, 230 MHz,  
at all Phase Angles  
•
300 Watts CW Output Power  
•
300 Watts Pulsed Peak Power, 20% Duty Cycle, 100 μsec  
CASE 465M--01, STYLE 1  
N I -- 7 8 0 -- 4  
Capable of 300 Watts CW Operation  
MRFE6VP6300HR3  
Features  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Unmatched Input and Output Allowing Wide Frequency Range Utilization  
Device can be used Single--Ended or in a Push--Pull Configuration  
Qualified Up to a Maximum of 50 VDD Operation  
Characterized from 30 V to 50 V for Extended Power Range  
Suitable for Linear Application with Appropriate Biasing  
Integrated ESD Protection  
Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C Operation  
Characterized with Series Equivalent Large--Signal Impedance Parameters  
RoHS Compliant  
CASE 465H--02, STYLE 1  
NI--780S--4  
MRFE6VP6300HSR3  
NI--780--4 in Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units, 56 mm Tape Width,  
13 inch Reel. For R5 Tape and Reel options, see p. 14.  
•
NI--780S--4 in Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units, 32 mm Tape Width,  
RF /V  
RF /V  
out DS  
3
4
1
2
in GS  
13 inch Reel. For R5 Tape and Reel options, see p. 14.  
Table 1. Maximum Ratings  
Rating  
Drain--Source Voltage  
Symbol  
Value  
--0.5, +130  
--6.0, +10  
--65 to +150  
150  
Unit  
Vdc  
Vdc  
°C  
RF /V  
out DS  
RF /V  
in GS  
V
DSS  
Gate--Source Voltage  
V
GS  
Storage Temperature Range  
Case Operating Temperature  
T
stg  
(Top View)  
T
°C  
C
D
Figure 1. Pin Connections  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
P
1050  
5.26  
W
C
Derate above 25°C  
W/°C  
(1,2)  
Operating Junction Temperature  
T
J
225  
°C  
Table 2. Thermal Characteristics  
(2,3)  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
(4)  
Thermal Resistance, Junction to Case  
°C/W  
Pulsed: Case Temperature 75°C, 300 W Pulsed, 100 μsec Pulse Width, 20% Duty Cycle,  
50 Vdc, I = 100 mA, 230 MHz  
CW: Case Temperature 87°C, 300 W CW, 50 Vdc, I  
Z
R
θ
JC  
0.05  
0.19  
θ
DQ  
JC  
= 1100 mA, 230 MHz  
DQ  
1. Continuous use at maximum temperature will affect MTTF.  
2. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Software & Tools/Development Tools/Calculators to access  
MTTF calculators by product.  
3. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.  
Select Documentation/Application Notes -- AN1955.  
4. Same test circuit is used for both pulsed and CW.  
© Freescale Semiconductor, Inc., 2010--2011. All rights reserved.  
1234567...15

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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