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MRFG35003ANT1

更新时间： 2024-09-23 20:24:51

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
18页	535K
描述
C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PLD-1.5, CASE 466-03, 4 PIN

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MRFG35003ANT1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PQSO-N4
针数：	4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.23	Is Samacsys：	N
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	15 V	FET 技术：	HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带：	C BAND	JESD-30 代码：	R-PQSO-N4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	3
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	85 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET RF Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

MRFG35003ANT1 数据手册

Document Number: MRFG35003AN

Rev. 2, 6/2009

Freescale Semiconductor

Technical Data

Gallium Arsenide PHEMT

RF Power Field Effect Transistor

Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications. Characterized

from 500 to 5000 MHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB

Customer Premise Equipment (CPE) applications.

MRFG35003ANT1

• Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD= 12 Volts, I_DQ

55 mA, P_out= 300 mWatts Avg., 3550 MHz, Channel Bandwidth =

3.84 MHz, PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Power Gain — 10.8 dB

3.5 GHz, 3 W, 12 V

POWER FET

GaAs PHEMT

Drain Efficiency — 24.5%

ACPR @ 5 MHz Offset — -43 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth

• 3 Watts P1dB @ 3550 MHz, CW

• Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• RoHS Compliant

• In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.

CASE 466-03, STYLE 1

PLD-1.5

PLASTIC

Table 1. Maximum Ratings

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

dBm

°C

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

RF Input Power

DSS

-5

Storage Temperature Range

stg

-65 to +150

175

(1)

Channel Temperature

°C

Table 2. Thermal Characteristics

Characteristic

(2)

Symbol

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

15.9

°C/W

1. For reliable operation, the operating channel temperature should not exceed 150°C.

2. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.

Select Documentation/Application Notes - AN1955.

MRFG35003ANT1

RF Device Data

Freescale Semiconductor

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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MRFG35003M6T1	MOTOROLA	获取价格	GALLIUM ARSENIDE PHEMT
MRFG35003M6T1_06	FREESCALE	获取价格	Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35003MT1	MOTOROLA	获取价格	The RF GaAs Line GALLIUM ARSENIDE PHEMT RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
MRFG35003MT1	FREESCALE	获取价格	RF Reference Design Library Gallium Arsenide PHEMT
MRFG35003N6A	NXP	获取价格	GaAs pHEMT Power FET, 3.5 GHz, 3 W , 6 V
MRFG35003N6AT1	FREESCALE	获取价格	Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35003NT1	FREESCALE	获取价格	RF Reference Design Library Gallium Arsenide PHEMT
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