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MRF6V4300NBR1 PDF预览

MRF6V4300NBR1

更新时间： 2024-11-20 19:45:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 863K
描述
UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1484-04, WB, 4 PIN

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MRF6V4300NBR1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-272
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PDFM-F4针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.72
Is Samacsys：N外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：110 V
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：TO-272JESD-30 代码：R-PDFM-F4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：3
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：225 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MRF6V4300NBR1 数据手册

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Document Number: MRF6V4300N  
Rev. 3, 4/2010  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
RF Power Field Effect Transistors  
N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs  
MRF6V4300NR1  
MRF6V4300NBR1  
Designed primarily for CW large--signal output and driver applications with  
frequencies up to 600 MHz. Devices are unmatched and are suitable for use in  
industrial, medical and scientific applications.  
•
•
Typical CW Performance: VDD = 50 Volts, IDQ = 900 mA, Pout = 300 Watts,  
f = 450 MHz  
Power Gain — 22 dB  
Drain Efficiency — 60%  
10--600 MHz, 300 W, 50 V  
LATERAL N--CHANNEL  
SINGLE--ENDED  
BROADBAND  
RF POWER MOSFETs  
Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 50 Vdc, 450 MHz, 300 Watts CW  
Output Power  
Features  
•
•
•
•
Characterized with Series Equivalent Large--Signal Impedance Parameters  
CASE 1486--03, STYLE 1  
T O -- 2 7 0 W B -- 4  
Qualified Up to a Maximum of 50 VDD Operation  
Integrated ESD Protection  
PLASTIC  
MRF6V4300NR1  
Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C  
Operation  
•
•
•
225°C Capable Plastic Package  
RoHS Compliant  
In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 44 mm, 13 inch Reel.  
CASE 1484--04, STYLE 1  
T O -- 2 7 2 W B -- 4  
PLASTIC  
MRF6V4300NBR1  
PARTS ARE SINGLE--ENDED  
RF /V  
in GS  
RF /V  
out DS  
RF /V  
in GS  
RF /V  
out DS  
(Top View)  
Note: Exposed backside of the package is  
the source terminal for the transistor.  
Figure 1. Pin Connections  
Table 1. Maximum Ratings  
Rating  
Symbol  
Value  
--0.5, +110  
--6.0, +10  
-- 65 to +150  
150  
Unit  
Vdc  
Vdc  
°C  
Drain--Source Voltage  
V
DSS  
Gate--Source Voltage  
V
GS  
Storage Temperature Range  
Case Operating Temperature  
Operating Junction Temperature  
T
stg  
T
C
°C  
(1,2)  
T
J
225  
°C  
1. Continuous use at maximum temperature will affect MTTF.  
2. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Software & Tools/Development Tools/Calculators to access  
MTTF calculators by product.  
© Freescale Semiconductor, Inc., 2008--2010. All rights reserved.  
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MRF6V4300NBR1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MRF6V4300NR5 NXP

完全替代

 Lateral N-Channel Single-Ended Broadband RF Power MOSFET, 10-600 MHz, 300 W, 50 V
MRF6V4300NBR5 NXP

完全替代

 Lateral N-Channel Single-Ended Broadband RF Power MOSFET, 10-600 MHz, 300 W, 50 V

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MRF6V4300NBR5 NXP

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 		Lateral N-Channel Single-Ended Broadband RF Power MOSFET, 10-600 MHz, 300 W, 50 V
MRF6V4300NR1 FREESCALE

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 		RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6V4300NR1_10 FREESCALE

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 		RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
MRF6V4300NR5 NXP

获取价格

 		Lateral N-Channel Single-Ended Broadband RF Power MOSFET, 10-600 MHz, 300 W, 50 V
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 		RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
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