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MR0A08BYS35

更新时间： 2024-02-18 15:07:35

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EVERSPIN		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
23页	1279K
描述
128K x 8 MRAM

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MR0A08BYS35 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP44,.46,32
针数：	44	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.04	最长访问时间：	35 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	长度：	18.41 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
内存宽度：	8	混合内存类型：	N/A
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP44,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.007 A	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.065 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

MR0A08BYS35 数据手册

MR0A08B

128K x 8 MRAM

FEATURES

• 3.3 Volt power supply

• Fast 35 ns read/write cycle

• SRAM compatible timing

• Native non-volatility

• Unlimited read & write endurance

• Data always non-volatile for >20 years at temperature

• Commercial and industrial temperatures

• All products meet MSL-3 moisture sensitivity level

• RoHS-Compliant TSOP2 and BGA packages

48-ball FBGA

44-pin TSOP2

BENEFITS

• One memory replaces FLASH, SRAM, EEPROM and

MRAM in system for simpler, more eﬃcient design

• Improves reliability by replacing battery-backed

SRAM

INTRODUCTION

The MR0A08B is a 1,048,576-bit magnetoresistive random access

memory (MRAM) device organized as 131,072 words of 8 bits. The

MR0A08B oﬀers SRAM compatible 35 ns read/write timing with unlim-

ited endurance.

RoHS

Data is always non-volatile for greater than 20-years. Data is automatically protected on

power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of speciﬁcation.

The MR0A08B is the ideal memory solution for applications that must permanently store and

retrieve critical data and programs quickly.

The MR0A08B is available in small footprint 400-mil, 44-lead plastic small-outline TSOP

type-2 package, 8 mm x 8 mm, or a 48-pin ball grid array (BGA) package with 0.75 mm ball

centers. (The 32-SOIC package options is obsolete and no longer available for new orders.)

These packages are compatible with similar low-power SRAM products and other non-vola-

tile RAM products.

The MR0A08B provides highly reliable data storage over a wide range of temperatures. The

product is oﬀered with commercial temperature range (0 to +70 °C) and industrial tempera-

ture range (-40 to +85 °C).

MR0A08B Rev. 8.6, 3/2018

12 3 4 5 6 7...23

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MR0A08BYS35 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MR0A08BCYS35	EVERSPIN	类似代替	128K x 8 MRAM
MR0A08BMA35	EVERSPIN	类似代替	128K x 8 MRAM
MR0A08BMA35R	EVERSPIN	类似代替	128K x 8 MRAM

与MR0A08BYS35相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MR0A08BYS35R	EVERSPIN	获取价格	128K x 8 MRAM
MR0A16A	FREESCALE	获取价格	64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM
MR0A16ACMA35	EVERSPIN	获取价格	64K x 16 MRAM Memory
MR0A16ACMA35R	EVERSPIN	获取价格	64K x 16 MRAM Memory
MR0A16ACTS35C	FREESCALE	获取价格	256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM
MR0A16ACYS35	FREESCALE	获取价格	64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM
MR0A16ACYS35	EVERSPIN	获取价格	64K x 16 MRAM Memory
MR0A16ACYS35R	EVERSPIN	获取价格	64K x 16 MRAM Memory
MR0A16AMA35	EVERSPIN	获取价格	64K x 16 MRAM Memory
MR0A16AMA35R	EVERSPIN	获取价格	64K x 16 MRAM Memory

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