是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | TSOP2 | 包装说明: | TSOP2, TSOP44,.46,32 |
针数: | 44 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 1.35 | 最长访问时间: | 35 ns |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G44 | 长度: | 18.41 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | MEMORY CIRCUIT |
内存宽度: | 16 | 混合内存类型: | N/A |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 44 |
字数: | 65536 words | 字数代码: | 64000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 64KX16 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP2 |
封装等效代码: | TSOP44,.46,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大待机电流: | 0.028 A |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.165 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
MR0A16ACYS35R | EVERSPIN |
完全替代 |
64K x 16 MRAM Memory | |
MR0A16AVYS35 | EVERSPIN |
类似代替 |
64K x 16 MRAM Memory | |
MR0A16AYS35 | EVERSPIN |
类似代替 |
64K x 16 MRAM Memory |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MR0A16ACYS35R | EVERSPIN |
获取价格 |
64K x 16 MRAM Memory | |
MR0A16AMA35 | EVERSPIN |
获取价格 |
64K x 16 MRAM Memory | |
MR0A16AMA35R | EVERSPIN |
获取价格 |
64K x 16 MRAM Memory | |
MR0A16AMYS35 | EVERSPIN |
获取价格 |
64K x 16 MRAM Memory | |
MR0A16AMYS35R | EVERSPIN |
获取价格 |
64K x 16 MRAM Memory | |
MR0A16AVMA35 | EVERSPIN |
获取价格 |
64K x 16 MRAM Memory | |
MR0A16AVMA35R | EVERSPIN |
获取价格 |
64K x 16 MRAM Memory | |
MR0A16AVTS35C | FREESCALE |
获取价格 |
256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM | |
MR0A16AVYS35 | FREESCALE |
获取价格 |
64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM | |
MR0A16AVYS35 | EVERSPIN |
获取价格 |
64K x 16 MRAM Memory |