Datasheet > MR0D08BMA45

MR0D08BMA45

更新时间： 2024-09-25 02:52:03

品牌	Logo	应用领域
EVERSPIN		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	776K
描述
Dual Supply 128K x 8 MRAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MR0D08BMA45 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LFBGA, BGA48,6X8,30
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	1.43	最长访问时间：	45 ns
JESD-30 代码：	S-PBGA-B48	长度：	8 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
内存宽度：	8	混合内存类型：	N/A
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,30	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.35 mm	最大待机电流：	0.008 A
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	0.065 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

MR0D08BMA45 数据手册

MR0D08B

Dual Supply 128K x 8 MRAM

FEATURES

• +3.3 Volt power supply

• I/O Voltage range supports wide +1.65 to +3.6 Volt interfaces

• Fast 45 ns read/write cycle

• SRAM compatible timing

• Unlimited read & write endurance

• Data always non-volatile for >20-years at temperature

• RoHS-compliant small footprint BGA package

BENEFITS

• One memory replaces FLASH, SRAM, EEPROM and BBSRAM in systems

for simpler, more eﬃcient designs

RoHS

• Improves reliability by replacing battery-backed SRAM

INTRODUCTION

The MR0D08B is a dual power supply 1,048,576-bit magnetoresistive random access memory (MRAM) de-

vice organized as 131,072 words of 8 bits. It supports I/O voltages from +1.65 to +3.6 volts. The MR0D08B

oﬀers SRAM compatible 45ns read/write timing with unlimited endurance. Data is always non-volatile for

greater than 20-years. Data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to pre-

vent writes with voltage out of speciﬁcation. The MR0D08B is the ideal memory solution for applications

that must permanently store and retrieve critical data and programs quickly.

The MR0D08B is available in small footprint 8 mm x 8 mm, 48-pin ball grid array (BGA) package with 0.75

mm ball centers.

The MR0D08B provides highly reliable data storage over a wide range of temperatures. The product is of-

fered with commercial temperature (0 to +70 °C).

CONTENTS

1. DEVICE PIN ASSIGNMENT......................................................................... 2

2. ELECTRICAL SPECIFICATIONS................................................................. 4

3. TIMING SPECIFICATIONS.......................................................................... 8

4. ORDERING INFORMATION....................................................................... 13

5. MECHANICAL DRAWING.......................................................................... 14

6. REVISION HISTORY...................................................................................... 15

How to Reach Us.......................................................................................... 15

MR0D08B Rev. 3.3, 3/2018

12 3 4 5 6 7...16

中文翻译

下载PDF

MR0D08BMA45 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MR0D08BMA45R	EVERSPIN	完全替代	Dual Supply 128K x 8 MRAM

与MR0D08BMA45相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MR0D08BMA45R	EVERSPIN	获取价格	Dual Supply 128K x 8 MRAM
MR0DL08B	EVERSPIN	获取价格	Dual Supply 128K x 8 MRAM
MR0DL08BMA45	EVERSPIN	获取价格	Dual Supply 128K x 8 MRAM
MR0DL08BMA45R	EVERSPIN	获取价格	Dual Supply 128K x 8 MRAM
MR0S08ACTS35C	FREESCALE	获取价格	256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM
MR0S08ACYS35	FREESCALE	获取价格	64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM
MR0S08ACYS35	NXP	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO44, 0.400 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-44
MR0S08ATS35C	NXP	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO44, 0.400 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-44
MR0S08AVTS35C	FREESCALE	获取价格	256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM
MR0S08AVYS35	NXP	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO44, 0.400 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-44

与MR0D08BMA45相关文章

SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

4
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

8
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

79
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

71

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MR0D08BMA45

MR0D08BMA45 技术参数

MR0D08BMA45 数据手册

MR0D08BMA45 替代型号

与MR0D08BMA45相关器件

与MR0D08BMA45相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MR0D08BMA45

MR0D08BMA45 技术参数

MR0D08BMA45 数据手册

MR0D08BMA45 替代型号

与MR0D08BMA45相关器件

与MR0D08BMA45相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？