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MR0A16AYS35R

更新时间： 2024-02-17 12:10:48

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EVERSPIN		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
22页	930K
描述
64K x 16 MRAM Memory

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MR0A16AYS35R 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-44	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.1	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	35 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e3	长度：	18.41 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.028 A
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.155 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

MR0A16AYS35R 数据手册

MR0A16A

64K x 16 MRAM Memory

FEATURES

• 3.3 Volt power supply

• Fast 35ns read/write cycle

• SRAM compatible timing

• Unlimited read & write endurance

• Commercial, Industrial, and Extended Temperatures

• Data non-volatile for >20 years at temperature

• RoHS-compliant TSOP2 and BGA packages available

• All products meet MSL-3 moisture sensitivity level

• Automotive AEC-Q100 Grade 1 option available

44-pin TSOP2

BENEFITS

• One memory replaces FLASH, SRAM, EEPROM and BBSRAM

in system for simpler, more eﬃcient designs

48-ball BGA

• Improves reliability by replacing battery-backed SRAM

• Automatic data protection on power loss

RoHS

INTRODUCTION

The MR0A16A is a 1,048,576-bit magnetoresistive random access memory (MRAM) device organized as

65,536 words of 16 bits. The MR0A16A oﬀers SRAM compatible 35 ns read/write timing with unlimited en-

durance. Data is always non-volatile for greater than 20 years. Data is automatically protected on power loss

by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of speciﬁcation.

MR0A16A is the ideal memory solution for applications that must permanently store and retrieve critical

data and programs quickly.

The MR0A16B is available in a small footprint 48-pin ball grid array (BGA) package and a 44-pin thin small

outline package (TSOP Type 2). These packages are compatible with similar low-power SRAM products and

other nonvolatile RAM products.

The MR0A16A provides highly reliable data storage over a wide range of temperatures. The product is avail-

able with commercial temperature (0 to +70 °C), industrial temperature (-40 to +85 °C), extended tempera-

ture (-40 to +105 °C), and Automotive AEC-Q100 Grade 1 (-40 to +125°) temperature range options.

MR0A16A Rev. 8.3 3/2018

12 3 4 5 6 7...22

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MR0A16AYS35R 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MR0A16ACYS35	EVERSPIN	类似代替	64K x 16 MRAM Memory
MR0A16AVYS35R	EVERSPIN	类似代替	64K x 16 MRAM Memory
MR0A16AYS35	EVERSPIN	功能相似	64K x 16 MRAM Memory

与MR0A16AYS35R相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MR0A8ACYS35	NXP	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-44
MR0A8AYS35	NXP	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-44
MR0D08B	EVERSPIN	获取价格	Dual Supply 128K x 8 MRAM
MR0D08BMA45	EVERSPIN	获取价格	Dual Supply 128K x 8 MRAM
MR0D08BMA45R	EVERSPIN	获取价格	Dual Supply 128K x 8 MRAM
MR0DL08B	EVERSPIN	获取价格	Dual Supply 128K x 8 MRAM
MR0DL08BMA45	EVERSPIN	获取价格	Dual Supply 128K x 8 MRAM
MR0DL08BMA45R	EVERSPIN	获取价格	Dual Supply 128K x 8 MRAM
MR0S08ACTS35C	FREESCALE	获取价格	256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM
MR0S08ACYS35	FREESCALE	获取价格	64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM

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