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MPSW06RLRM PDF预览

MPSW06RLRM

更新时间： 2024-11-07 15:44:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 148K
描述
500mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-226AE, 3 PIN

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MPSW06RLRM 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.46最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：60JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

MPSW06RLRM 数据手册

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ON Semiconductort  
MPSW05  
MPSW06  
MPSW06 is a Preferred Device  
One Watt Amplifier Transistors  
NPN Silicon  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
MPSW05 MPSW06  
Unit  
Vdc  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
60  
60  
80  
80  
Vdc  
4.0  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
500  
mAdc  
C
1
2
3
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
P
1.0  
8.0  
Watt  
mW/°C  
A
D
Derate above 25°C  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
2.5  
20  
Watts  
mW/°C  
C
CASE 29–10, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AE)  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
COLLECTOR  
3
Symbol  
Max  
125  
50  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
q
JA  
JC  
2
R
q
BASE  
1
EMITTER  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(1)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
Vdc  
(BR)CEO  
(I = 1.0 mAdc, I = 0)  
MPSW05  
MPSW06  
60  
80  
—
—
C
B
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 mAdc, I = 0)  
V
4.0  
—
Vdc  
(BR)EBO  
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = 40 Vdc, I = 0)  
I
µAdc  
CES  
MPSW05  
MPSW06  
—
—
0.5  
0.5  
CE  
B
(V = 60 Vdc, I = 0)  
CE  
B
Collector Cutoff Current  
(V = 40 Vdc, I = 0)  
I
µAdc  
µAdc  
CBO  
MPSW05  
MPSW06  
—
—
0.1  
0.1  
CB  
E
(V = 60 Vdc, I = 0)  
CB  
E
Emitter Cutoff Current  
(V = 3.0 Vdc, I = 0)  
I
—
0.1  
EBO  
EB  
C
1. Pulse Test: Pulse Width v 300 ms, Duty Cycle v 2.0%.  
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
903  
Publication Order Number:  
October, 2001 – Rev. 2  
MPSW05/D  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPSW06RLRP MOTOROLA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
MPSW06RLRP ONSEMI

获取价格

 		500mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-226AE, 3 PIN
MPSW06ZL1 ONSEMI

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 		TRANSISTOR 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-226AE, 3 PIN, BIP Gen
MPSW06ZL1 MOTOROLA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
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 		500mA, 300V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

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