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MPSW06

更新时间： 2024-11-06 22:26:15
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安森美 - ONSEMI 晶体放大器晶体管
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4页 105K
描述
One Watt Amplifier Transistors(NPN Silicon)

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by MPSW05/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
NPN Silicon  
*Motorola Preferred Device  
COLLECTOR  
3
2
BASE  
1
EMITTER  
1
MAXIMUM RATINGS  
2
3
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol MPSW05 MPSW06  
Unit  
Vdc  
CASE 29–05, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AE)  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
60  
60  
80  
80  
Vdc  
4.0  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
500  
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.0  
8.0  
Watt  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
2.5  
20  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
125  
50  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(1)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 1.0 mAdc, I = 0)  
V
Vdc  
(BR)CEO  
MPSW05  
MPSW06  
60  
80  
—
—
C
B
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 Adc, I = 0)  
V
4.0  
—
Vdc  
(BR)EBO  
E
C
Collector Cutoff Current  
I
µAdc  
CES  
(V  
CE  
(V  
CE  
= 40 Vdc, I = 0)  
MPSW05  
MPSW06  
—
—
0.5  
0.5  
B
= 60 Vdc, I = 0)  
B
Collector Cutoff Current  
I
µAdc  
µAdc  
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= 40 Vdc, I = 0)  
MPSW05  
MPSW06  
—
—
0.1  
0.1  
E
= 60 Vdc, I = 0)  
E
Emitter Cutoff Current  
(V = 3.0 Vdc, I = 0)  
I
—
0.1  
EBO  
EB  
C
1. Pulse Test: Pulse Width  
300 s, Duty Cycle  
2.0%.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1996  
1234

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MPSW06 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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