MPSW06

更新时间： 2024-11-06 22:26:15

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体放大器小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	141K
描述
One Watt Amplifier Transistors

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MPSW06 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.21	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	基于收集器的最大容量：	12 pF
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JEDEC-95代码：	TO-226AE
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	2.5 W
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
VCEsat-Max：	0.4 V	Base Number Matches：	1

MPSW06 数据手册

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by MPSW05/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

NPN Silicon

*Motorola Preferred Device

COLLECTOR

BASE

EMITTER

MAXIMUM RATINGS

Rating

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Symbol MPSW05 MPSW06

Unit

Vdc

CASE 29–05, STYLE 1

TO–92 (TO–226AE)

CEO

CBO

EBO

Vdc

4.0

Vdc

Collector Current — Continuous

500

mAdc

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

1.0

8.0

Watt

mW/°C

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

2.5

Watts

mW/°C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

–55 to +150

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

125

Unit

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Thermal Resistance, Junction to Case

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

(1)

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I = 1.0 mAdc, I = 0)

Vdc

(BR)CEO

MPSW05

MPSW06

—

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I = 100 Adc, I = 0)

4.0

—

Vdc

(BR)EBO

Collector Cutoff Current

µAdc

CES

= 40 Vdc, I = 0)

MPSW05

MPSW06

—

0.5

= 60 Vdc, I = 0)

Collector Cutoff Current

µAdc

CBO

= 40 Vdc, I = 0)

MPSW05

MPSW06

—

0.1

= 60 Vdc, I = 0)

Emitter Cutoff Current

(V = 3.0 Vdc, I = 0)

—

0.1

EBO

1. Pulse Test: Pulse Width

300 s, Duty Cycle

2.0%.

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

Motorola, Inc. 1996

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MPSW06-05	TI	获取价格	80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
MPSW06D26Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226,
MPSW06D27Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226,
MPSW06D74Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226
MPSW06G	ONSEMI	获取价格	One Watt Amplifier Transistors
MPSW06-J61Z	TI	获取价格	80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
MPSW06RL	ONSEMI	获取价格	500mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-226AE, 3 PIN
MPSW06RL1	ONSEMI	获取价格	500mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-226AE, 3 PIN
MPSW06RL1	MOTOROLA	获取价格	500mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW06RLRA	MOTOROLA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

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