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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.25 | 基于收集器的最大容量： | 6 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 350 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN (315) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 20 MHz | VCEsat-Max： | 0.75 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MPSA45TRG | CENTRAL |
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暂无描述 |
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| MPSA45TRH | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| MPSA5 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92 |
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| MPSA55 | WINNERJOIN |
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TRANSISTOR (PNP) |
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| MPSA55 | SEMTECH |
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PNP Transistor |
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| MPSA55 | DCCOM |
获取价格 |
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
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| MPSA55 | WEITRON |
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Driver PNP Transistors |
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| MPSA55 | UTC |
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AMPLIFIER TRANSISTOR |
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| MPSA55 | DIOTEC |
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General Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors |
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| MPSA55 | FAIRCHILD |
获取价格 |
PNP General Purpose Amplifier |
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