MPSA55

更新时间： 2024-11-03 04:39:15

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体小信号双极晶体管
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2页	108K
描述
General Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors

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MPSA55 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.07	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
Base Number Matches：	1

MPSA55 数据手册

MPSA55 ... MPSA56

General Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors

Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz

PNP

Version 2006-07-25

Power dissipation

Verlustleistung

625 mW

Plastic case

Kunststoffgehäuse

TO-92

(10D3)

E B C

Weight approx. – Gewicht ca.

0.18 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

2 x 2.54

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

Dimensions - Maße [mm]

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

MPSA55

MPSA56

80 V

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung

Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung

Power dissipation – Verlustleistung

B open

E open

C open

- V_CEO

- V_CBO

- V_EBO

P_tot

60 V

80 V

4 V

625 mW ¹)

500 mA

1 A

Collector current – Kollektorstrom (dc)

- I_C

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

- I_CM

- I_BM

200 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-55...+150°C

-55…+150°C

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)

- I_C= 10 mA, - V_CE= 1 V

- I_C= 100 mA, - V_CE= 1 V

h_FE

100

–

Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. ²)

- I_C= 100 mA, - I_B= 10 mA

Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung ²)

- V_CEsat

–

0.25 V

1.2 V

- I_C= 100 mA, - V_CE= 1 V

- V_BE

Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom

- V_CB= 60 V, (E open)

- V_CB= 80 V, (E open)

MPSA55

MPSA56

- I_CBO

–

100 nA

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

Tested with pulses t_p= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

http://www.diotec.com/

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