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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.13 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 200 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.625 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MPSA43DA | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | CHIP |
|
| MPSA43DB | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | CHIP |
|
| MPSA43DC | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | CHIP |
|
| MPSA43DWP | ZETEX |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 0.024 X 0.024 INC |
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| MPSA43G | ROCHESTER |
获取价格 |
50mA, 200V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PI |
|
| MPSA43G | ONSEMI |
获取价格 |
小信号高压 NPN |
|
| MPSA43G-AB3-R | UTC |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
|
| MPSA43G-T92-B | UTC |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
|
| MPSA43G-T92-K | UTC |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
|
| MPSA43K | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTI |
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