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MPSA05RLRE

更新时间： 2024-11-19 04:45:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
36页 383K
描述
500mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN

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MPSA05RLRE 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.13最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHz

MPSA05RLRE 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
COLLECTOR  
3
COLLECTOR  
3
2
2
BASE  
BASE  
NPN  
PNP  
1
1
EMITTER  
EMITTER  
Voltage and current are negative  
for PNP transistors  
MAXIMUM RATINGS  
MPSA05  
MPSA06  
MPSA55  
MPSA56  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
*Motorola Preferred Device  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
60  
60  
80  
80  
Vdc  
4.0  
Vdc  
Collector Current – Continuous  
I
C
500  
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watts  
mW/°C  
C
1
2
3
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
°C  
CASE 29–04, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AA)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
(1)  
Max  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
200  
JA  
R
83.3  
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(2)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
Vdc  
(BR)CEO  
(I = 1.0 mAdc, I = 0)  
MPSA05, MPSA55  
MPSA06, MPSA56  
60  
80  
—
—
C
B
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 µAdc, I = 0)  
V
4.0  
—
Vdc  
µAdc  
µAdc  
(BR)EBO  
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = 60 Vdc, I = 0)  
I
—
0.1  
CES  
CE  
B
Collector Cutoff Current  
I
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= 60 Vdc, I = 0)  
MPSA05, MPSA55  
MPSA06, MPSA56  
—
—
0.1  
0.1  
E
= 80 Vdc, I = 0)  
E
1. R  
is measured with the device soldered into a typical printed circuit board.  
JA  
2. Pulse Test: Pulse Width  
300 s, Duty Cycle  
2.0%.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data  
2–619  
1234567...36

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与MPSA05RLRE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPSA05RLRM ONSEMI

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 		Amplifier Transistors
MPSA05RLRM MOTOROLA

获取价格

 		500mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA05RLRMG ONSEMI

获取价格

 		Amplifier Transistors
MPSA05RLRP MOTOROLA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
MPSA05STOA DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 S
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
MPSA05STZ DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 S
MPSA05-T92-B UTC

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 		NPN MPSA05 PNP MPSA55

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