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MPSA06 PDF预览

MPSA06

更新时间： 2024-11-17 22:51:11
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 69K
描述
NPN General Purpose Transistor

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MPSA06 数据手册

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SSTA06 / MMSTA06 / MPSA06  
Transistors  
NPN General Purpose Transistor  
SSTA06 / MMSTA06 / MPSA06  
!Features  
!External dimensions (Units : mm)  
CEO  
C
1) BV < 80V.( I =1mA)  
2.9±0.2  
SSTA06  
+0.2  
0.95  
−0.1  
1.9±0.2  
2) Complements the SSTA56 / MMSTA56 / MPSA56.  
0.45±0.1  
0.95 0.95  
(2)  
(1)  
0~0.1  
0.2Min.  
(3)  
!Package, marking and packaging specifications  
+0.1  
−0.06  
0.15  
+0.1  
−0.05  
0.4  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
Part No.  
Packaging type  
Mark  
SSTA06  
SST3  
R1G  
MMSTA06  
SMT3  
R1G  
MPSA06  
TO-92  
-
All terminals have same dimensions  
ROHM : SST3  
MMSTA06  
T116  
T146  
T93  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
3000  
3000  
3000  
2.9±0.2  
1.9±0.2  
0.95 0.95  
+0.2  
1.1  
−0.1  
0.8±0.1  
(2)  
(1)  
0~0.1  
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
(3)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
80  
+0.1  
0.15  
−0.06  
+0.1  
−0.05  
0.4  
80  
V
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
4
V
All terminals have same dimensions  
ROHM : SMT3  
EIAJ : SC-59  
I
C
0.5  
A
SSTA06, MMSTA06  
0.2  
Collector power  
dissipation  
PC  
W
0.625  
150  
-55~+150  
MPSA06  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
˚C  
˚C  
4.8±  
0.2  
3.7±0.2  
Tstg  
MPSA06  
0.5±  
0.1  
(1) (2) (3)  
5
+0.3  
2.5  
−
0.1  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
0.45±0.1  
2.3  
ROHM : TO-92  
EIAJ : SC-43  
!Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
BVCBO  
BVCEO  
4
80  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
I
I
C
=
=
100µA  
1mA  
-
0.1  
1
C
I
I
CBO  
V
V
CB  
=
=
80V  
60V  
Collector cutoff current  
µA  
CEO  
-
CE  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
V
CE(sat)  
BE(ON)  
FE  
-
0.25  
1.2  
-
V
V
I
C/I  
B=100mA/10mA  
-
V
V
V
CE/I  
B=  
1V/100mA  
V
100  
100  
100  
CE  
=
=
1V, I  
1V, I  
C
=
=
10mA  
DC current transfer ratio  
Transition frequency  
h
-
-
CE  
C
100mA  
f
T
-
MHz  
VCE=2V, IE= −10mA, f=100MHz  
123

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与MPSA06相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPS-A06 MICRO-ELECTRONICS

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 		COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTORS
MPSA06(OPTION5) TI

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
MPSA06,126 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SPT, SC-43, 3 P
MPSA06/D10Z{OPTION18} TI

获取价格

 		500mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA06/D10Z{OPTION5} TI

获取价格

 		500mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA06/D10Z-18 TI

获取价格

 		80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
MPSA06/D10Z-J14Z TI

获取价格

 		80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
MPSA06/D10Z-J22Z TI

获取价格

 		80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
MPSA06/D10Z-J61Z TI

获取价格

 		80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
MPSA06/D11Z TI

获取价格

 		500mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

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