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MPS6560

更新时间： 2024-11-28 22:46:03
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安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 72K
描述
Audio Transistor(NPN Silicon)

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MPS6560 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：Obsolete
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.12
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：60 MHz
Base Number Matches：1

MPS6560 数据手册

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by MPS6560/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
NPN Silicon  
COLLECTOR  
3
2
BASE  
1
2
1
3
EMITTER  
CASE 29–04, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AA)  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
25  
25  
Vdc  
5.0  
500  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
(1)  
JA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
°C/mW  
°C/mW  
R
83.3  
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(2)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
V
25  
25  
5.0  
—
—
—
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
(I = 10 mAdc, I = 0)  
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 Adc, I = 0)  
(BR)CBO  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 Adc, I = 0)  
V
—
Vdc  
(BR)EBO  
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = 25 Vdc, I = 0)  
I
100  
100  
100  
nAdc  
nAdc  
nAdc  
CES  
CE  
Collector Cutoff Current  
(V = 20 Vdc, I = 0)  
B
I
—
CBO  
CB  
Emitter Cutoff Current  
(V = 4.0 Vdc, I = 0)  
E
I
—
EBO  
EB(off)  
C
1. R  
is measured with the device soldered into a typical printed circuit board.  
JA  
2. Pulse Test: Pulse Width  
300 s; Duty Cycle  
2.0%.  
REV 1  
Motorola, Inc. 1996
1234

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MPS6560 替代型号

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