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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.74 | 基于收集器的最大容量： | 30 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 60 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MPS6562 | MICRO-ELECTRONICS |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTORS |
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| MPS6562 | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
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| MPS6562 | CDIL |
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SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
|
| MPS6562 | SAMSUNG |
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PNP (AUDIO TRANSISTOR) |
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| MPS6562 | FAIRCHILD |
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PNP General Purpose Amplifier |
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| MPS6562(OPTION18) | TI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
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| MPS6562/D10Z | NSC |
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500mA, 25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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| MPS6562/D10Z(OPTION18) | TI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
|
| MPS6562/D10Z(OPTION5) | TI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
|
| MPS6562/D10Z{OPTION18} | TI |
获取价格 |
500mA, 25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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