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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.66 | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN (315) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 60 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MPS6561APPLEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| MPS6561C | VISHAY |
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Transistor, |
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| MPS6561TRB | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
|
| MPS6561TRELEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
|
| MPS6561TRH | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
|
| MPS6562 | MICRO-ELECTRONICS |
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COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTORS |
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| MPS6562 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
|
| MPS6562 | CDIL |
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SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
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| MPS6562 | SAMSUNG |
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PNP (AUDIO TRANSISTOR) |
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| MPS6562 | FAIRCHILD |
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PNP General Purpose Amplifier |
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